針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪加工6吋SiC線割片，磨耗比為15%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。晶圓砂輪推薦

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的低損耗特性，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。晶圓砂輪推薦憑借獨特的結合劑配方和顯微組織設計，砂輪在粗磨和精磨中均表現出色 助力第三代半導體材料加工邁向新高度。

傳統砂輪在磨削過程中常常面臨磨損快、熱量產生大、加工效率低等問題。而激光改質層減薄砂輪則通過先進的激光改質技術，克服了這些缺陷。首先，激光改質層減薄砂輪的耐磨性明顯提高，能夠在長時間的磨削過程中保持穩定的性能，減少更換頻率。其次，由于其優異的熱穩定性，激光改質層減薄砂輪在高溫環境下仍能保持良好的切削性能，避免了傳統砂輪因過熱而導致的變形和損壞。此外，激光改質層減薄砂輪的切削力更小，能夠有效降低工件的加工應力，減少了工件的變形風險，提升了加工精度。

江蘇優普納科技有限公司的強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過納米級陶瓷相復合技術，明顯提升砂輪抗沖擊性與耐磨性。在6吋SiC襯底粗磨中，砂輪磨耗比低至11%，且無邊緣崩缺現象，TTV精度穩定≤3μm。該技術尤其適用于碳化硅等高硬度材料加工，對比傳統樹脂結合劑砂輪，壽命延長50%，減少設備停機換輪頻率，助力客戶實現連續化生產。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優普納砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上，對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

激光改質層減薄砂輪是一種新型的磨削工具，廣泛應用于金屬加工、陶瓷加工以及復合材料的精密加工領域。與傳統砂輪相比，激光改質層減薄砂輪通過激光技術對砂輪表面進行改質處理，明顯提升了其耐磨性、強度和熱穩定性。這種砂輪的主要優勢在于其能夠在高溫、高速的磨削條件下保持優異的性能，減少磨削過程中產生的熱量，從而降低工件的變形和損傷風險。此外，激光改質層減薄砂輪的設計使其在磨削過程中產生的切削力更小，能夠有效提高加工效率，延長砂輪的使用壽命，降低生產成本。優普納砂輪的低損耗特性，不僅延長了產品的使用壽命，還減少加工過程中的材料浪費，為客戶帶來成本節約。第三代半導體減磨砂輪更換周期

在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。晶圓砂輪推薦

在精密光學元件制造領域，非球面微粉砂輪肩負著關鍵使命。其工作原理融合了先進的磨削理念與微觀層面的材料去除機制。江蘇優普納科技有限公司的非球面微粉砂輪，以高精度磨粒為主“切削刃”。在對非球面鏡片等光學元件加工時，砂輪高速旋轉，微小且硬度極高的磨粒如同微觀世界的“雕刻刀”，精確地與工件表面接觸。由于非球面的曲面形狀復雜，砂輪在數控系統的精確操控下，依據預設路徑進行磨削。磨粒粒度呈精細且均勻分布，從粗粒度的磨粒初步去除較多材料，快速塑造非球面的大致輪廓，到細粒度磨粒對表面進行精微修整，逐步實現納米級別的表面精度。在磨削過程中，結合劑發揮著穩定磨粒的關鍵作用，確保磨粒在合適的磨削力下工作。優普納公司精心調配結合劑配方，使磨粒在保持穩固的同時，又能在磨損到一定程度后，及時從結合劑中脫落，讓新的鋒利磨粒暴露并參與磨削，這一自銳過程保證了砂輪在長時間加工中始終維持高效且穩定的磨削性能，為打造高精度非球面光學元件奠定堅實基礎。晶圓砂輪推薦