江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節省了大量的成本。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。從材料特性到設備適配，優普納砂輪提供全方面解決方案，確保加工過程的高效性和穩定性。碳化硅減薄砂輪性價比

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的低損耗特性，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。碳化硅砂輪訂做價格碳化硅晶圓減薄砂輪超細金剛石磨粒與超高自銳性結合，實現高磨削效率與低損傷 表面粗糙度Ra≤3nm TTV≤2μm。

江蘇優普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設計，在第三代半導體晶圓加工中實現低損傷、低粗糙度的行業突破。以DISCO-DFG8640設備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優普納產品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅模塊等高附加值領域。歡迎您的隨時致電咨詢。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其專研的**高性能陶瓷結合劑**和**“Dmix+”制程工藝**，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。優普納砂輪的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，賦予產品優異的耐磨性和韌性，確保在高負荷加工條件下的穩定性能。

激光改質技術是利用高能激光束對材料表面進行局部加熱和熔化，從而改變其物理和化學性質的過程。在激光改質層減薄砂輪的生產中，激光束能夠精確控制加熱區域，使得砂輪表面形成一層致密的改質層。這一改質層不僅提高了砂輪的硬度和耐磨性，還增強了其抗熱疲勞和抗氧化能力。與傳統的砂輪相比，激光改質層減薄砂輪在磨削過程中產生的磨損更少，能夠有效降低砂輪的更換頻率，提升生產效率。此外，激光改質技術的應用還使得砂輪的加工精度和表面質量得到了明顯提升，滿足了現代制造業對高精度、高效率的需求。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。江蘇陶瓷結合劑砂輪

在6吋和8吋SiC線割片的加工中，優普納砂輪均展現出優越性能，無論是粗磨還是精磨，達到行業更高加工標準。碳化硅減薄砂輪性價比

江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。碳化硅減薄砂輪性價比