壓敏電阻器的晶相

ZnO壓敏陶瓷是以Zn為主體添加若于其它氧化物改性的燒結體。氧化物添加劑除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界。ZnO是n型半導體，它是構成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界相。因此，ZnO半導體陶瓷是多相陶瓷。圖，它們的化學式及各種相的摻雜。(1)ZnO相:構成ZnO半導體陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型電導特性，不同方法測試得到室溫電阻率為()Ω·cm;ZnO晶粒對V-I特性的影響，尤其在大電流情況下，ZnO晶粒上產生的壓降更有決定性影響。(2)尖晶石相:尖晶石相是不連續的，該相和ZnO以及富鉍相在高溫下并存，因此它對各相的分配起作用，使富鉍相有個特定的組成。又由于它在ZnO晶粒邊界凝結，能夠抑制ZnO晶粒的生長。(3)焦綠石相:該相也是不連續的，主要是在高溫燒結時與ZnO形成富鉍相。(4)富鉍相:富鉍相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相燒結成陶瓷。又由于富鉍相在晶界層中結晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富鉍相有產生高α值的作用。 當加在壓敏電阻上的電壓超過它的閾值時，流過它的電流激增，它相當于阻值無窮小的電阻。硅樹脂壓敏電阻MOV電路圖

壓敏電阻選型這個是壓敏電阻的規格書，對于壓敏電阻，我們**需要看的幾個參數，***個參數，這個是指的，壓敏電阻的變阻電壓，這里是18V，括號中是。變阻電壓就是18V然后存在幾V的誤差。既然存在誤差，我們在選的是要查查誤差能不能滿足我們的設計要求了。看看這兩個參數，有一個Vac交流，還有一個Vdc直流，我們先講交流，如果我們的電源，輸入有個壓敏180KD10，如果我們的電源，輸入電壓比較大的時候，Vac=12V，能不能使用180KD10這顆壓敏電阻？AC指的都是有效值。其實很簡單，比較大輸入電壓12VAC，是不可以使用的。比較大輸入電壓，不可以超過這個電壓的。很顯然，Vdc指的是如果我們的電源輸入電壓是直流電壓，那么我們直接可以不超過14V，就可以使用的。***就是這個，這個是壓敏電阻的通流量了，標準值和比較大值，也就是有通過這么大電流的能力。硅樹脂壓敏電阻MOV電路圖5d（5mm）壓敏電阻的通流量一般為400A，高焦耳產品通流量一般為10kA。

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壓敏電阻的工作原理：當加在壓敏電阻上的電壓低于它的閾值時，流過它的電流極小，它相當于一個阻值無窮大的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓低于其閾值時，它相當于一個斷開狀態的開關。當加在壓敏電阻上的電壓超過它的閾值時，流過它的電流激增，它相當于阻值無窮小的電阻。也就是說，當加在它上面的電壓高于其閾值時，它相當于一個閉合狀態的開關。壓敏電阻具有堆成的伏安特性曲線，可用于交變的電源保護，一般用于AC輸入交流電源的防雷保護。壓敏電阻可通過串聯的方式來提供工作電壓。

壓敏電阻的選用及注意事項：一般地說，壓敏電阻器常常與被保護器件或裝置并聯使用，在正常情況下，壓敏電阻器兩端的直流或交流電壓應低于標稱電壓，即使在電源波動情況**壞時，也不應高于額定值中選擇的比較大連續工作電壓，該比較大連續工作電壓值所對應的標稱電壓值即為選用值。對于過壓保護方面的應用，壓敏電壓值應大于實際電路的電壓值，一般應使用下式進行選擇：VmA=av/bc式中[2]：a為電路電壓波動系數；v為電路直流工作電壓（交流時為有效值）；b為壓敏電壓誤差；c為元件的老化系數，；這樣計算得到的VmA實際數值是直流工作電壓的[2]，在交流狀態下還要考慮峰值，因此計算結果應擴大1．414倍[3]。另外，選用時還必須注意：(1)必須保證在電壓波動比較大時，連續工作電壓也不會超過比較大允許值，否則將縮短壓敏電阻的使用壽命；(2)在電源線與大地間使用壓敏電阻時，有時由于接地不良而使線與地之間電壓上升，所以通常采用比線與線間使用場合更高標稱電壓的壓敏電阻器。壓敏電阻所吸收的浪涌電流應小于產品的比較大通流量。高功率型：是指用于吸收周期出現的連續脈沖群的壓敏電阻器，例如并接在開關電源變換器上的壓敏電阻。硅樹脂壓敏電阻MOV電路圖

壓敏電阻承受的異常過電壓特性的不同，可將壓敏電阻區分為浪涌抑制型、高功率型和高能型這三種類型。硅樹脂壓敏電阻MOV電路圖

壓敏電阻比較大限制電壓(CLAMPINGVOLTAGE(MAX.))：比較大限制電壓是指壓敏電阻器兩端所能承受的最高電壓值，它表示在規定的沖擊電流Ip通過壓敏電阻器兩端所產生的電壓此電壓又稱為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護物的耐壓水平Vo，否則便達不到可靠的保護目的，通常沖擊電流Ip值較大，例如2.5A或者10A，因而壓敏電阻對應的比較大限制電壓Vc相當大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A時。）壓敏電阻的比較大限制電壓與流過壓敏電阻的瞬時電流有關，電流越大，限制電壓也越大。硅樹脂壓敏電阻MOV電路圖