降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。ESD靜電保護元件在選型時應注意其封裝，電容，靜電防護等級等參數。江蘇RS485接口ESD保護元件參數

靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷，是通過電子或離子的轉移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業生產中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設備或人體上的靜電位比較高可達數萬伏以至數千萬伏。靜電較之流電受環境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復現性差、瞬態現象多。測量靜電是為靜電防護工程設計和改善產品自身抗靜電性能設計，提供數據和依據。湖南低壓ESD保護元件參數ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。

防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導體實現等電位連接，避免因導全帶靜電發生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術，如電子工業、半導體、石油工業、兵器工業、紡織工業、橡膠工業以及興航與***領域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。通過串聯的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。安徽以太網接口ESD保護元件廠家

硅基ESD保護器件的結電容與其芯片面積成正比關系。江蘇RS485接口ESD保護元件參數

高頻接口ESD防護電路的綜合設計法根據高頻電路的信號特征和ESD防護要求靈活選用各種防護器件、以及各種防護電路的組合形成防護效果好且高頻性能好的ESD防護電路。如TVS、開關二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯、匹配設計、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設計***的防護電路。如圖4，電感!和TVS并聯在輸入端具有較好的ESD防護效果，其并聯諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護和改善駐波的作用。江蘇RS485接口ESD保護元件參數