靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質有關。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒有引燃危險。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當絕緣體背面緊貼有金屬導體時，絕緣體正面將出現傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險；傳播型刷形放電的引燃危險性大。(3)火花放電:是帶電體之間發生的通道單一的放電。火花放電有明亮的閃光和有短促的爆裂聲。其引燃危險性很大。(4)雷型放電：是懸浮在空間的大范圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險性很大。國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。湖北按鍵接口ESD保護元件原理

靜電的發生機制。由于不同原子的原子核對電子的束縛能力不同，物體相互靠近時，電子就會在物體之間發生轉移，從而導致電荷在物質系統之間的不均勻分布，打破原本的平衡狀態。所謂靜電，其實就是這些發生轉移、在某一物體上積累下來的電荷，而由這些電荷引發的諸多現象，如頭發炸毛、電腦屏幕粘上灰塵等，就是靜電現象。當我們活動時，身體、衣物會和地面、空氣等產生摩擦，使電子在它們之間發生轉移，從而使身體帶電。我們的鞋子大多是絕緣的橡膠底，身體累積的電荷不可能通過鞋導給大地，于是身體的電荷逐漸累積，也就產生了靜電。靜電現象在冬天比在夏天更為常見，這與不同濕度下空氣的導電能力有關。相對濕潤時，空氣中漂浮著大量微小液滴，可以轉移身體的一部分電荷，而冬天氣候干燥，室內外溫差更**的溫差會降低空氣相對濕度，因此摩擦帶來的電荷很容易積累起來。江蘇低電容ESD保護元件測試典型的機器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達幾百安培，持續時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。

在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發生PositiveESDPulse時，Diode發生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向導通電壓很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。

在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD靜電保護元件一般為硅基材料器件，相應速度可做到ps級。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發生對地放電引起器件失效而建立的。ESD靜電保護元件一般并聯在電流中使用。河南VGA接口ESD保護元件電容

ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。湖北按鍵接口ESD保護元件原理

由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。湖北按鍵接口ESD保護元件原理