遠程等離子源，是一種基于變壓器電感耦合等離子體技術的duli式自由基發生器（RPS），可以有效的解離輸入氣體。產生清洗或蝕刻所需的自由基(氟、氧原子等)，這些自由基通過腔室壓差傳輸，遠程等離子體內的電場保持在較低的水平，避免電荷可能損壞敏感的晶圓結構，利用自由基的強氧化特性，達到腔室清洗(Chamber Clean)或制程（On-Wafer PROCESS）的目的。該產品設計具有先進的HA或PEO涂層plasma block，先進的功率自適應模式，滿足多種鍍膜和刻蝕工藝需求，小體積的同時最大功率可達10kw。為催化材料研究提供可控表面改性平臺。湖南pecvd腔室遠程等離子源RPS推薦廠家

RPS遠程等離子源應用領域在半導體前道制程中尤為關鍵，特別是在高級 邏輯芯片和存儲芯片的晶圓清洗環節。隨著技術節點向5納米乃至更小尺寸邁進，任何微小的污染和物理損傷都可能導致器件失效。傳統的濕法清洗或直接等離子體清洗難以避免圖案傾倒、關鍵尺寸改變或材料損傷等問題。而RPS遠程等離子源通過物理分離等離子體產生區與處理區，只將高活性的氧自由基、氫自由基等中性粒子輸送到晶圓表面，能夠在不施加物理轟擊的情況下，高效去除光刻膠殘留、有機污染物和金屬氧化物。這種溫和的非接觸式處理方式，能將對脆弱的FinFET結構或柵極氧化層的損傷降至比較低，確保了器件的電學性能和良率。因此，在先進制程的預擴散清洗、預柵極清洗以及刻蝕后殘留物去除等關鍵步驟中，RPS遠程等離子源應用領域已成為不可或缺的工藝選擇，為摩爾定律的持續推進提供了可靠的表面處理保障。安徽遠程等離子源RPS電源Remote Plasma Source，RPS 通常被用于在真空環境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。

RPS遠程等離子源在汽車電子中的可靠性保障針對汽車電子功率模塊的散熱需求，RPS遠程等離子源優化了界面處理工藝。通過N2/H2遠程等離子體活化氮化鋁基板，將熱阻從1.2K/W降至0.8K/W。在傳感器封裝中，采用O2/Ar遠程等離子體清洗焊盤，將焊點抗拉強度提升至45MPa，使器件通過3000次溫度循環測試（-40℃至125℃）。RPS遠程等離子源在航空航天電子中的特殊應用為滿足航空航天電子器件的極端可靠性要求，RPS遠程等離子源開發了高真空兼容工藝。在SiC功率器件制造中，通過He/O2遠程等離子體在10-6Pa真空環境下進行表面處理，將柵氧擊穿電場強度提升至12MV/cm。在輻射加固電路中，RPS遠程等離子源將界面態密度控制在5×109/cm2·eV以下，確保器件在100krad總劑量輻射下保持正常工作。

晟鼎遠程等離子體電源RPS的應用類型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過反應替代 （biao面氧化）進行表面改性②輔助PECVD③使用預活化氧氣和氮氣輔助低壓反應性濺射沉積④使用預活化氧氣和氮氣進行反應性蒸發沉積⑤等離子體增強原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類化合物）；②使用反應性含氧氣體粒子處理光刻膠。RPS是一種用于產生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。

RPS遠程等離子源在量子計算器件中的前沿應用在超導量子比特制造中，RPS遠程等離子源通過O2/Ar遠程等離子體去除表面磁噪聲源，將量子比特退相干時間延長至100μs以上。在約瑟夫森結制備中，采用H2/N2遠程等離子體精確控制勢壘層厚度，將結電阻均勻性控制在±2%以內。實驗結果顯示，經RPS遠程等離子源處理的量子芯片，保真度提升至99.95%。RPS遠程等離子源在先進傳感器制造中的精度突破在MEMS壓力傳感器制造中，RPS遠程等離子源通過XeF2遠程等離子體釋放硅膜結構，將殘余應力控制在10MPa以內。在紅外探測器制造中，采用SF6/O2遠程等離子體刻蝕懸臂梁結構，將熱響應時間縮短至5ms。實測數據表明，采用RPS遠程等離子源制造的傳感器，精度等級達到0.01%FS，溫度漂移<0.005%/℃。在存儲芯片制造中提升介質層可靠性。北京晟鼎RPS哪家強

晟鼎RPS自研PEO表面處理工藝，增加PEO膜層使用壽命，降低維護成本。湖南pecvd腔室遠程等離子源RPS推薦廠家

隨著3D NAND堆疊層數突破500層，深孔刻蝕后的殘留物清洗成為技術瓶頸。RPS遠程等離子源利用其優異的自由基擴散能力，可有效清理 深寬比超過60:1結構底部的聚合物殘留。通過優化遠程等離子體參數，在保持刻蝕選擇比大于100:1的同時，將晶圓損傷深度控制在2nm以內。某存儲芯片制造商在引入RPS遠程等離子源后，將深孔清洗工序的良品率從87%提升至96%，單 wafer 處理成本降低30%。RPS遠程等離子源在化合物半導體工藝中的優勢在GaN、SiC等寬禁帶半導體制造中，RPS遠程等離子源展現出獨特價值。其低溫處理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的熱分解風險。通過采用Cl2/BCl3混合氣體的遠程等離子體刻蝕，實現了GaN材料的各向異性刻蝕，側壁垂直度達89±1°。在HEMT器件制造中，RPS遠程等離子源將界面態密度控制在1010/cm2·eV量級，明顯 提升了器件跨導和截止頻率。湖南pecvd腔室遠程等離子源RPS推薦廠家