RPS遠程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術的自成一體的原子發生器，它的功能是用于半導體設備工藝腔體原子級別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基，活性離子進入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質產生化學反應，聚合為高活性氣態分子經過真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內部潔凈度；利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的強度和高風險的濕式清洗工作，提高生產效率。晟鼎RPS腔體可以損耗監測，實時檢測參數變動趨勢。RPScvd腔體清洗

RPS遠程等離子源如何應對高深寬比結構的清洗挑戰：在半導體制造中，高深寬比結構（如深孔或溝槽）的清洗極為困難，傳統方法難以滲透。RPS遠程等離子源通過其高擴散性的自由基，能夠深入微觀結構，均勻去除殘留物。例如，在3D NAND閃存制造中，RPS遠程等離子源可用于蝕刻間隔層或清理 蝕刻副產物，而不導致結構坍塌。其精確的化學控制避免了過度刻蝕，確保了關鍵尺寸的完整性。隨著器件結構日益復雜，RPS遠程等離子源成為實現下一代技術的關鍵賦能工具。海南國產RPS腔室清洗適用于特種材料科研開發的超真空表面處理。

遠程等離子體源RPS腔體結構，包括進氣口，點火口，回流腔連通電離腔頂端與進氣腔靠近進氣口一側頂部，氣體由進氣口進入經過進氣腔到達電離腔，點火發生電離反應生成氬離子然后通入工藝氣體，通過出氣口排出至反應室內，部分電離氣體經回流腔流至進氣腔內，提高腔體內部電離程度，以便于維持工藝氣體的電離，同時可提高原子離化率；電離腔的口徑大于進氣腔，氣體在進入電離腔內部時降低了壓力，降低了F/O原子碰撞導致的原子淬滅問題，保證電離率，提高清潔效率。

RPS遠程等離子源在功率器件制造中的關鍵技術在IGBT模塊制造中，RPS遠程等離子源通過優化清洗工藝，將芯片貼裝空洞率從5%降至0.5%以下。采用H2/Ar遠程等離子體在380℃條件下活化DBC基板表面，使焊料鋪展率提升至98%。在SiCMOSFET制造中，RPS遠程等離子源實現的柵氧界面態密度達2×1010/cm2·eV，使器件導通電阻降低15%，開關損耗改善20%。RPS遠程等離子源在射頻器件制造中的精密控制針對5G射頻濾波器制造，RPS遠程等離子源開發了溫度可控的刻蝕工藝。在BAW濾波器生產中，通過Ar/Cl2遠程等離子體將氮化鋁壓電層的刻蝕均勻性控制在±1.5%以內，諧振頻率偏差<0.02%。在GaN射頻器件制造中，RPS遠程等離子源將表面損傷層厚度控制在1.5nm以內，使器件截止頻率達到120GHz，輸出功率密度提升至6W/mm。為功率電子封裝提供低熱阻界面。

在OLED和LCD顯示面板的制造中，玻璃基板或聚酰亞胺薄膜基板的尺寸越來越大，對清洗和刻蝕工藝的均勻性提出了極高要求。RPS遠程等離子源應用領域在這一場景下優勢明顯。由于其等離子體均勻性不受基板尺寸限制，活性自由基能夠均勻地分布在整個大尺寸面板表面，實現無死角的徹底清潔。在OLED制造中，用于去除基板表面的微量有機物和顆粒，確保TFT背板和OLED發光層的質量；在柔性顯示中，用于對PI基板進行表面活化，增強后續薄膜的附著力。此外，在顯示面板的薄膜晶體管陣列制程中，RPS技術也用于氮化硅或非晶硅薄膜的低溫、低損傷刻蝕，確保了數百萬個TFT性能的高度一致，從而保障了顯示畫面的均勻性和低壞點率。遠程等離子體源（Remote Plasma Source，RPS）是一種用于產生等離子體的裝置。湖南pecvd腔室遠程等離子源RPS常用知識

RPS利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的。RPScvd腔體清洗

RPS遠程等離子源在柔性電子制造中的適應性柔性電子使用塑料或薄膜基板，對熱和機械應力敏感。RPS遠程等離子源通過低溫操作，避免了基板變形或降解。其非接觸式清洗去除了污染物，提升了導電跡線的附著力。在OLED照明或可穿戴設備制造中，RPS遠程等離子源確保了工藝的可重復性。隨著柔性市場增長，該技術提供了必要的精度和靈活性。RPS遠程等離子源的未來發展趨勢隨著制造業向更小節點和更復雜材料發展，RPS遠程等離子源正不斷進化。未來版本可能集成AI實時優化，或支持更高頻率的等離子體生成。在可持續發展方面，RPS遠程等離子源將聚焦于更節能的設計和可回收氣體。其應用也可能擴展到新能源或生物醫學領域。東莞市晟鼎精密儀器有限公司致力于創新，推動RPS遠程等離子源成為智能制造的基石。RPScvd腔體清洗