遠程等離子體源（Remote Plasma Source，RPS）作為一種先進的表面處理技術(shù)，正逐漸在多個工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)其獨特的價值。這種裝置通過在真空環(huán)境中產(chǎn)生等離子體，并將其傳輸?shù)侥繕?biāo)表面進行處理，從而實現(xiàn)了對材料表面的均勻、高效改性。RPS不僅避免了傳統(tǒng)等離子體源直接接觸處理表面可能帶來的熱和化學(xué)損傷，還因其高度的集成性和靈活性，成為現(xiàn)代真空處理系統(tǒng)中不可或缺的一部分。其工作原理是將氣體引入裝置中，通過電場或磁場的激發(fā)產(chǎn)生等離子體，然后利用特定的傳輸機制將等離子體輸送到需要處理的表面。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏產(chǎn)業(yè)表面處理等領(lǐng)域。適用于生物芯片微流道表面的親水化改性處理。江西pecvd腔室遠程等離子源RPS等離子源處理cvd腔室

RPS遠程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術(shù)的自成一體的原子發(fā)生器，它的功能是用于半導(dǎo)體設(shè)備工藝腔體原子級別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基，活性離子進入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，聚合為高活性氣態(tài)分子經(jīng)過真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內(nèi)部潔凈度；利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產(chǎn)工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的強度和高風(fēng)險的濕式清洗工作，提高生產(chǎn)效率。重慶遠程等離子源處理cvd腔室RPS腔室清洗遠程等離子體源（Remote Plasma Source，RPS）是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置。

在PECVD、LPCVD等薄膜沉積設(shè)備中，腔室內(nèi)壁積累的非晶硅、氮化硅等沉積物會降低熱傳導(dǎo)效率，導(dǎo)致工藝漂移。RPS遠程等離子源通過定制化的氣體配方（如NF3/O2混合氣體），在200-400℃溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)高效腔室清洗。其中氟基自由基與硅基沉積物反應(yīng)生成揮發(fā)性SiF4，清洗速率可達5-10μm/min。實際應(yīng)用數(shù)據(jù)顯示，采用RPS遠程等離子源進行預(yù)防性維護，可將CVD設(shè)備的平均故障間隔延長至1500工藝小時以上，顆粒污染控制水平提升兩個數(shù)量級。

RPS遠程等離子源應(yīng)用原理：遠程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內(nèi)部的殘余氣體發(fā)生作用。但是對腔室內(nèi)部的固體物質(zhì)，例如：腔室內(nèi)壁的金屬材料與腔室內(nèi)部的零配件，在工作時間較短（幾十分鐘）的情況下，一般只會發(fā)生淺表層的反應(yīng)，幾十納米至幾微米，因為腔室內(nèi)部的材質(zhì)一般是鋁合金、不銹鋼等，不容易被氧離子所刻蝕。遠程等離子工作時，用戶本身的鍍膜工藝是不工作的，所有沒有直接接觸到有機發(fā)光材料，就不會對有機發(fā)光材質(zhì)造成損傷。即使是直接接觸，其發(fā)生的輕微的表面作用，也不會造成損傷。遠程等離子體（RPS）對真空腔體進行微處理，達到去除腔體內(nèi)部水殘留氣體，減少殘余氣體量目的。

在材料科學(xué)的基礎(chǔ)研究和新材料開發(fā)中，獲得一個清潔、無污染的原始表面對于準(zhǔn)確分析其本征物理化學(xué)性質(zhì)至關(guān)重要。無論是進行XPS、AFM還是SIMS等表面分析技術(shù)，微量的表面吸附物都會嚴重干擾測試結(jié)果。RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域為此提供的解決方案。其能夠在高真空或超高真空環(huán)境下，通過產(chǎn)生純凈的氫或氬自由基，對樣品表面進行原位（in-situ）清洗。氫自由基能高效還原并去除金屬表面的氧化物，而氬自由基能物理性地濺射掉表層的污染物，整個過程幾乎不引入新的污染或造成晶格損傷。這為研究人員揭示材料的真實表面態(tài)、界面電子結(jié)構(gòu)以及催化活性位點等本征特性提供了可能，是連接材料制備與性能表征的關(guān)鍵橋梁。適用于特種材料科研開發(fā)的超真空表面處理。江西半導(dǎo)體RPS等離子源處理cvd腔室

RPS是一種用于產(chǎn)生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環(huán)境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。江西pecvd腔室遠程等離子源RPS等離子源處理cvd腔室

三維NAND閃存堆疊層數(shù)的不斷增加，對刻蝕后高深寬比結(jié)構(gòu)的清洗帶來了巨大挑戰(zhàn)。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴重影響后續(xù)多晶硅或鎢填充的質(zhì)量，導(dǎo)致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨特優(yōu)勢。由于等離子體在遠程生成，其主要產(chǎn)物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴散能力，能夠無阻礙地深入深寬比超過60:1的結(jié)構(gòu)底部，與殘留物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術(shù)避免了因離子鞘層效應(yīng)導(dǎo)致的清洗不均勻問題，確保了從結(jié)構(gòu)頂部到底部的均勻清潔，且不會因離子轟擊造成結(jié)構(gòu)側(cè)壁的物理損傷。這使得RPS遠程等離子源應(yīng)用領(lǐng)域成為3D NAND制造中實現(xiàn)高良率、高可靠性的主要 技術(shù)之一。江西pecvd腔室遠程等離子源RPS等離子源處理cvd腔室