電子束蒸發與熱蒸發的區別在于：電子束蒸發是用一束電子轟擊物體，產生高能量進行蒸發， 熱蒸發通過加熱完成這一過程。與熱蒸發相比，電子束蒸發提供了高能量；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的。在這種情況下，帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。 與熱蒸發相比，電子束蒸發具有許多優點 1、電子束蒸發可以將材料加熱到比熱蒸發更高的溫度。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發。 2、電子束蒸發可以沉積更薄、純度更高的薄膜。坩堝的水冷將電子束加熱嚴格限制在由源材料占據的區域，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3、電子束蒸發源有各種尺寸和配置，包括單腔或多腔。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發的鍍料。北京貴金屬真空鍍膜價錢

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料靶材加熱并蒸發，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華），并較終沉積在基體表面上的技術。在整個過程中，氣態的原子、分子在真空中會經過很少的碰撞而直接遷移到基體，并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發的方法包括電阻加熱，高頻感應加熱，電子束、激光束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。將鍍料加熱到蒸發溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發源。較常用的蒸發源是電阻蒸發源和電子束蒸發源，特殊用途的蒸發源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發源等。北京貴金屬真空鍍膜價錢利用PECVD生長的氮化硅薄膜薄膜應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。

電子束蒸發鍍膜技術是一種制備高純物質薄膜的主要方法，在電子束加熱裝置中，被加熱的物質被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質，而其余的大部分物質在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度，即后者實際上變成了被蒸發物質的坩堝。因此，電子束蒸發沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染。在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，這使得人們可以同時或分別蒸發和沉積多種不同的物質。現今主流的電子束蒸發設備中對鍍膜質量起關鍵作用的是電子槍和離子源。

真空鍍膜：PVD技術工藝步驟：清洗工件：接通直流電源，氬氣進行輝光放電為氬離子，氬離子轟擊工件表面，工件表層粒子和臟物被轟濺拋出；鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發氣化。鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件；鍍料原子、分子或離子在基體上沉積：工件表面上的蒸發料離子超過濺失離子的數量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。離子鍍時，蒸發料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動能，高速轟擊工件時，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴散層，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜的方法：離子鍍：在機加工刀具方面,鍍制的TiN、TiC以其硬度高、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產效率也提高。在固體潤滑膜方面,Z新研制的多相納米復合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類薄膜具有摩擦系數低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強及磨損壽命較長等特點,被普遍運用于車輛零部件上。與此同時,離子鍍鈦也在航空航天,光學器件等領域應用普遍,收效顯著。廣東省科學院半導體研究所。真空蒸發鍍膜是真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流。佛山ITO鍍膜真空鍍膜實驗室

真空鍍膜有蒸發鍍膜形式。北京貴金屬真空鍍膜價錢

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，反應能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環控制反應氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。北京貴金屬真空鍍膜價錢