基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業的杰出位置。北京光電器件微納加工平臺

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術中較關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現了圖形從光刻板到基底的轉移。深圳光電器件微納加工公司微納加工設備主要有：光刻、刻蝕、成膜、離子注入、晶圓鍵合等。

ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。

微納制造包括微制造和納制造兩個方面。(1)微制造有兩種不同的微制造工藝方式，一種是基于半導體制造工藝的光刻技術、LIGA技術、鍵合技術、封裝技術等，這些工藝技術方法較為成熟，但普遍存在加工材料單一、加工設備昂貴等問題，且只能加工結構簡單的二維或準三維微機械零件，無法進行復雜的三維微機械零件的加工；另一種是機械微加工，是指采用機械加工、特種加工及其他成形技術等傳統加工技術形成的微加工技術，可進行三維復雜曲面零件的加工，加工材料不受限制，包括微細磨削、微細車削、微細銑削、微細鉆削、微沖壓、微成形等。(2)納制造納制造是指具有特定功能的納米尺度的結構、器件和系統的制造技術，包括納米壓印技術、刻劃技術、原子操縱技術等。高精度的微細結構通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光。

微納制造技術是指尺度為毫米、微米和納米量級的零件，以及由這些零件構成的部件或系統的設計、加工、組裝、集成與應用技術。傳統“宏”機械制造技術已不能滿足這些“微”機械和“微”系統的高精度制造和裝配加工要求，必須研究和應用微納制造的技術與方法。微納制造技術是微傳感器、微執行器、微結構和功能微納系統制造的基本手段和重要基礎。不同的表面微納結構可以呈現出相應的功能，隨著科技的發展，不同功能的微納結構及器件將會得到更多的應用。目前表面功能微納結構及器件，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結構或器件，的發展仍受到微納加工技術的限制。因此，研究功能微納結構及器件需要從微納結構的加工技術方面進行普遍深入的研究，提高微納加工技術的加工能力和效率是未來微納結構及器件研究的重點方向。高精度的微細結構具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低。珠海真空鍍膜微納加工工藝

微機電系統、微光電系統、生物微機電系統等是微納米技術的重要應用領域。北京光電器件微納加工平臺

基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，*適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外比較多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。北京光電器件微納加工平臺