離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當膜料蒸發(fā)時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護容易。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。貴金屬真空鍍膜工藝

真空鍍膜：技術(shù)原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù)。湖北叉指電極真空鍍膜平臺離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀初已有些應用，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè)，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應用。物理的氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應。鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。真空鍍膜技術(shù)四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應用。

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。真空鍍膜機電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個或幾個孔的閥體。上海ITO鍍膜真空鍍膜價格

熱氧化與化學氣相沉積不同，它是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。貴金屬真空鍍膜工藝

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設(shè)備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差。貴金屬真空鍍膜工藝