真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。真空鍍膜是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。廣東磁控濺射真空鍍膜實驗室

真空鍍膜：技術原理：濺射鍍膜基本原理：充氬（Ar）氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬（Ar）原子電離成氬離子（Ar），氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在l0-2Pa～10Pa范圍，所以濺射出來的粒子在飛向基體過程中，易和真空室中的氣體分子發生碰撞，使運動方向隨機，沉積的膜易于均勻。離子鍍基本原理：在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。山東等離子體增強氣相沉積真空鍍膜價錢真空鍍膜的操作規程：鍍制多層介質膜的鍍膜間，應安裝通風吸塵裝置，及時排除有害粉塵。

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離，物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被廣泛應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密，介電強度高、硬度大等優點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。

在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應在被激發的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力。

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質薄膜，在微納加工當中用于結構層材料、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內，影響其沉積反應的主要參數是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環境下，反應氣體的平均自由程及擴散系數變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空鍍膜機爐體與爐門為了充分利用爐體的內部空間，減輕真空系統的負載。江蘇電子束蒸發真空鍍膜價錢

真空鍍膜機的優點:具有優良的耐折性和良好的韌性，比較少出現小孔和裂口。廣東磁控濺射真空鍍膜實驗室

真空鍍膜：真空蒸發鍍膜法：真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當普遍。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。廣東磁控濺射真空鍍膜實驗室