技術實現要素：(一)要解決的技術問題針對于現有技術問題，本發明提出一種太陽光照補償值計算方法，用于至少部分解決上述技術問題。(二)技術方案本發明提供一種太陽光照補償值計算方法，用于對地球靜止軌道衛星光學遙感圖像進行光補償，包括：獲取地球靜止軌道衛星光學遙感圖像尺寸、地理經度區間、地理緯度區間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程；根據地球靜止軌道衛星光學遙感圖像尺寸、地理經度區間、地理緯度區間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度；根據太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像的太陽總輻照強度；針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的地球靜止軌道衛星光學遙感圖像，計算各自對應的太陽總輻照強度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛星光學遙感圖像各像素之間的太陽光照補償值。膜層的附著力根據標準要求測試，結果為1級；本申請制備的膜層的光熱轉換的效率為77％～82％。北京生產太陽光譜模擬銷售

et(d，α，z)＝ed(d，α，z)+es(α，z)，(12)其中，ed(d，α，z)與es(α，z)可從操作s102中得出。s104，針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的所述地球靜止軌道衛星光學遙感圖像，計算各自對應的太陽總輻照強度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛星光學遙感圖像之間的太陽光照補償值。從方程(12)可以看出，由于太陽高度角α(x，y，d，t)由遙感圖像中像素點坐標值(x，y)、圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定，因此太陽總輻照強度et(d，α，z)由遙感圖像中像素點坐標值(x，y)、(x，y)處的高程z，圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定，則et(x，y，z，d，t)≡et(d，α，z).(1)福建下打光太陽光譜模擬AM1為了得到高質量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質反應的氣體。

例如，獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330和第三計算模塊340中的任意多個可以合并在一個模塊中實現，或者其中的任意一個模塊可以被拆分成多個模塊。或者，這些模塊中的一個或多個模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結合，并在一個模塊中實現。根據本發明的實施例，獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330及第三計算模塊340中的至少一個可以至少被部分地實現為硬件電路，例如現場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統、基板上的系統、封裝上的系統、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來實現，或以軟件、硬件以及固件三種實現方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現。或者，獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330及第三計算模塊340中的至少一個可以至少被部分地實現為計算機程序模塊，當該計算機程序模塊被運行時，可以執行相應的功能。

在本申請的一個實施例中，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。在本申請的一個實施例中，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。本申請中，sccm為體積流量單位，意義為標況毫升/分鐘。本申請提供的膜層能夠選擇性吸收太陽光譜，其中的原理是：太陽輻射到地球上的絕大部分能量，來源于0.20～3.0μm波長范圍的紫外線、可見光和紅外線，這個波長范圍內的能量占地球外太陽輻射總能量的98.07％；而熱輻射的波長范圍主要集中在2.5～30μm。光譜選擇性吸收涂層是應用在吸熱體上的，它就是利用太陽輻射的波長范圍(主要集中在0.20～3.0μm)與熱輻射的波長范圍不相同這一特性，可以增強吸熱體對太陽輻射吸收的同時，減少吸熱體向環境的熱輻射損失。選擇性涂層材料的比較大特點在于，它們對不同光譜區的輻射具有不同的熱輻射性質。科學家們設計和建造了一種新型太陽能電池的原型，將多個電池堆疊到一個設備中。

如圖4所示，在本實施例以可行的方式中，***計算模塊320例如可以包括：***計算單元321，用于根據尺寸、地理經度區間、地理緯度區間，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度。第二計算單元322，用于根據拍攝日期，計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度。第三計算單元323，用于根據拍攝時刻和地理經度，計算拍攝時刻的太陽時角。第四計算單元324，用于根據太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角。比現有技術中膜層的光熱轉換的效率提高了6％～10％。廣東購買太陽光譜模擬代理

撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發生化學反應生成二氧化硅，反應生成的二氧化硅沉積在步驟。北京生產太陽光譜模擬銷售

4)反應性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮氣流量為70sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過渡膜的厚度為70nm；5)反應性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；北京生產太陽光譜模擬銷售

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