根據(jù)拍攝時(shí)刻和所地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽時(shí)角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計(jì)算太陽時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對應(yīng)的太陽時(shí)角。s24，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽高度角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計(jì)算太陽高度角α(x，y，d，t)。撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻。浙江上打光太陽光譜模擬工廠

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。遼寧AM1太陽光譜模擬價(jià)格相對的，目前大部分常見太陽能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。

以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮?dú)鈿夥障陆?jīng)500℃退火1002 h，其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。   目前國內(nèi)外研究人員積極開發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質(zhì)的高溫太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對太陽光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，

可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對應(yīng)的太陽時(shí)角。可選地，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽高度角α(x，y，d，t)。可選地，根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí)，若直接以化合物當(dāng)作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別。

s25，根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量。s26，根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計(jì)算晴天無云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。青海AM1.5太陽光譜模擬銷量

反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。浙江上打光太陽光譜模擬工廠

例如，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330和第三計(jì)算模塊340中的任意多個(gè)可以合并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)，或者其中的任意一個(gè)模塊可以被拆分成多個(gè)模塊。或者，這些模塊中的一個(gè)或多個(gè)模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合，并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實(shí)現(xiàn)。或者，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí)，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。浙江上打光太陽光譜模擬工廠

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