本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；**優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽吸收比α(am1.5)達(dá)0.94，半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。浙江上打光太陽光譜模擬工廠

可選地，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)，包括：根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9；根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)，其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。可選地，根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。遼寧AM1太陽光譜模擬價(jià)格此外，堆疊過程使用了一種名為轉(zhuǎn)印的技術(shù)，這一技術(shù)能以高精度三維組裝這些微小的設(shè)備。

反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；

因此，對(duì)于地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星在不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝圖像的太陽光照補(bǔ)償值為δet＝et(x1，y1，z1，d1，t1)-et(x2，y2，z2，d2，t2)，(2)其中，下角標(biāo)1和2**兩個(gè)不同拍攝日期、和/或時(shí)間和/或位置。至此，通過獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，基于上述方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算。圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的太陽光照補(bǔ)償值計(jì)算裝置的框圖，如圖3所示，該裝置300例如可以包括獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330和第三計(jì)算模塊340。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例。

根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)(9)其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。s27，根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)(10)計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。s28，根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽散射輻射強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)計(jì)算太陽散射輻射強(qiáng)度es(α，z)，k2為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。s103，根據(jù)太陽直接輻射強(qiáng)度和太陽散射輻射強(qiáng)度，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽總輻照強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體。上海銷售太陽光譜模擬工廠

通過降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來類似的產(chǎn)品可能將被推向市場(chǎng)。浙江上打光太陽光譜模擬工廠

et(d，α，z)＝ed(d，α，z)+es(α，z)，(12)其中，ed(d，α，z)與es(α，z)可從操作s102中得出。s104，針對(duì)于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時(shí)間、和/或拍攝位置對(duì)應(yīng)的所述地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計(jì)算各自對(duì)應(yīng)的太陽總輻照強(qiáng)度相互之間的差值，得到各個(gè)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像之間的太陽光照補(bǔ)償值。從方程(12)可以看出，由于太陽高度角α(x，y，d，t)由遙感圖像中像素點(diǎn)坐標(biāo)值(x，y)、圖像拍攝時(shí)間在一年中的第d天和拍攝時(shí)間t決定，因此太陽總輻照強(qiáng)度et(d，α，z)由遙感圖像中像素點(diǎn)坐標(biāo)值(x，y)、(x，y)處的高程z，圖像拍攝時(shí)間在一年中的第d天和拍攝時(shí)間t決定，則et(x，y，z，d，t)≡et(d，α，z).(1)浙江上打光太陽光譜模擬工廠

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