射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項1、在同一個屏蔽腔體內，布局時應該按RF主信號流一字布局，由于空間限制，如果在同一個屏蔽腔內，RF主信號的元器件不能采用一字布局時，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細分析，確保不會出問題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個接收通道和發射通道。3、布局時就要考慮RF主信號走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開來，簡單地說，就是讓高功率RF發射電路遠離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時工作，高功率電路有時還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區至少有一整塊地，且沒有過孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號串到輸入端。8、敏感的模擬信號應該遠離高速數字信號和RF信號。京曉科技教您如何設計PCB。什么是PCB設計布局

結構繪制結構繪制子流程如下：繪制單板板框→繪制結構特殊區域及拼板→放置固定結構件。1.1.1繪制單板板框（1）將結構圖直接導入PCB文件且測量尺寸，確認結構圖形中結構尺寸單位為mm，顯示比例為1：1等大。（2）設計文件中，單位為mm，則精度為小數點后4位；單位為Mil，則精度為小數點后2位，兩種單位之間轉換至多一次，特殊要求記錄到《項目設計溝通記錄》中。（3）導入結構圖形并命名。（4）導入的結構圖形層命名方式為DXF_日期+版本，舉例：DXF_1031A1，線寬為0Mil。（5）結構圖形導入后應在EDA設計軟件視界正中，若偏移在一角，應整體移動結構圖形，使之位于正中。（6）根據結構圖形，繪制外形板框，板框與結構文件完全一致且重合，并體現在EDA設計軟件顯示層。（7）確定坐標原點，坐標原點默認為單板左邊與下邊延長線的交點，坐標原點有特殊要求的記錄到《項目設計溝通記錄》中。（8）對板邊的直角進行倒角處理，倒角形狀、大小依據結構圖繪制，如無特殊要求，默認倒圓角半徑為1.5mm，工藝邊外沿默認倒圓角，半徑為1.5mm并記錄到《項目設計溝通記錄》郵件通知客戶確認。（9）板框繪制完畢，賦予其不可移動，不可編輯屬性。荊門打造PCB設計哪家好LDO外圍電路布局要求是什么？

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網絡名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲印（1）條碼：條碼位置應靠近PCB板名版本號，且長邊必須與傳送方向平行，區域內不能有焊盤直徑大于0.5mm的導通孔，如有導通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無法噴碼或貼標簽。1、預留區域為涂滿油墨的絲印區。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區外20mm范圍內不能有高度超過25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標準“RF”的絲印字樣。對于過波峰焊的過板方向有明確規定的PCB,如設計了偷錫焊盤、淚滴焊盤或器件焊接方向，需要用絲印標示出過板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實大小標示出來。放靜電標記的優先位置是PCB的元件面，采用標準的封裝庫。在板名旁留出生產序列號的空間，字體格式、大小由客戶確認。

整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計算的差分線寬和線距布線；（10）相鄰信號層推薦正交布線方式，無法正交時，相互錯開布線，（11）PCB LAYOUT中的拓撲結構指的是芯片與芯片之間的連接方式，不同的總線特點不一樣，所采用的拓撲結構也不一樣，多拓撲的互連。在PCB設計中如何繪制結構特殊區域及拼板？

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。時鐘驅動器的布局布線要求。荊門專業PCB設計哪家好

PCB典型的電路設計指導。什么是PCB設計布局

疊層方案，疊層方案子流程：設計參數確認→層疊評估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認。設計參數確認（1）發《PCBLayout業務資料及要求》給客戶填寫。（2）確認客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時，需和工藝、客戶及時溝通確認，需滿足加工工藝要求。層疊評估疊層評估子流程：評估走線層數→評估平面層數→層疊評估。（1）評估走線層數：以設計文件中布線密集的區域為主要參考，評估走線層數，一般為BGA封裝的器件或者排數較多的接插件，以信號管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內兩孔間只能走一根信號線為例，少層數的評估可以參考以下幾點：及次信號需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴5mm的禁布區范圍內），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號線的方式。次外層以內的兩排可用一個內層出線。再依次內縮的第五，六排則需要兩個內層出線。根據電源和地的分布情況，結合bottom層走線，多可以減少一個內層。結合以上5點，少可用2個內走線層完成出線。什么是PCB設計布局

武漢京曉科技有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在湖北省等地區的電工電氣行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發展奠定的良好的行業基礎，也希望未來公司能成為*****，努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業精神將**武漢京曉科技供應和您一起攜手步入輝煌，共創佳績，一直以來，公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！