AEC-Q1001.對于非易失性存儲器樣品，在HTOL之前進行預(yù)處理：等級0：150℃，1000h等級1：125℃，1000h等級2：105℃，1000h等級3：85℃，1000h2.各等級溫度對應(yīng)的時間是比較低要求，通過計算或測量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技自主研發(fā)實時單顆監(jiān)測技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOL Setup。靜安區(qū)HTOL測試機專賣店

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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。

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