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硅光芯片耦合測試系統系統的測試設備主要是包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計，通過光矩陣的光路切換，每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環路。光源出光包含兩個設備，調光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*...

在光芯片領域，芯片耦合封裝問題是光子芯片實用化過程中的關鍵問題，芯片性能的測試也是至關重要的一步驟，現有的硅光芯片耦合測試系統是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調架轉軸進行調光，并依靠對輸出光的光功率進行監控，再反饋到微調架端進行調試。芯片...

硅光芯片耦合測試系統組件裝夾完成后，通過校正X,Y和Z方向的偏差來進行的初始光功率耦合，圖像處理軟件能自動測量出各項偏差，然后軟件驅動運動控制系統和運動平臺來補償偏差，以及給出提示，繼續手動調整角度滑臺。當三個器件完成初始定位，同時確認其在Z軸方向的相對位置關...

光纖耦合系統，包括角錐棱鏡、傾斜反射鏡、分光鏡、第1透鏡、三維平移臺、1×2光纖分束器、標定激光器、接收終端、光電探測器、第二透鏡、第1驅動器、控制處理機和第二驅動器。標定激光器發出光束經第1透鏡準直為平行光，小部分光能量經分光鏡透射后由角錐棱鏡共軸返回，再次...

硅光芯片耦合測試系統是比較關鍵的，我們的客戶非常關注此工位測試的嚴謹性，硅光芯片耦合測試系統主要控制“信號弱”，“易掉話”，“找網慢或不找網”，“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環境對設備EMC干擾的方法與實際使用環境存在較大差異，所以“信號類”返修量...

為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關性,我們首先利用一種特殊的三明治結構波導,通過優化多層結構,成功消除了一個超小型微環諧振器中心波長的偏振相關性。針對不同的硅光芯片結構,我們提出并且實驗驗證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合...

硅光芯片耦合測試系統是由激光器與硅光芯片集成結構,結構包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導;硅光芯片,硅光芯片包括第二波導,第二波導及第1波導將激光器芯片發出的光耦合至硅光芯片內;第1波導包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部;第...

硅光芯片耦合測試系統這些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理...

伴隨著光纖通信技術的快速發展,小到芯片間,大到數據中心間的大規模數據交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯。當前,我們把主流的光互聯技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗...

硅光芯片耦合測試系統中應用到的硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能...

提到硅光芯片耦合測試系統，我們來認識一下硅光子集。硅光子集成的工藝開發路線和目標比較明確，困難之處在于如何做到與CMOS工藝的較大限度的兼容，從而充分利用先進的半導體設備和工藝，同時需要關注個別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設計目前還未形成有效的系統性的方法，設...

耦合掉電，即在耦合的過程中斷電致使設備連接不上的情況，如果電池電量不足或者使用程控電源時供電電壓過低、5V觸發電壓未接觸好、測試連接線不良等都會導致耦合掉電的現象。與此相似的耦合充電也是常見的故障之一，在硅光芯片耦合測試系統過程中，點擊HQ_CFS的“開始”按...

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第...

硅光芯片耦合測試系統的面向硅光芯片的光模塊封裝結構及方法,封裝結構包括硅光芯片,電路板和光纖陣列,硅光芯片放置在基板上,基板和電路板通過連接件相連,并且在連接件的作用下實現硅光芯片與電路板的電氣連通;光纖陣列的端面與硅光芯片的光端面耦合形成輸入輸出光路;基板所...

實驗中我們經常使用硅光芯片耦合測試系統獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦...

硅光芯片耦合測試系統這些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理...

硅硅光芯片耦合測試系統中硅光耦合結構需要具備:硅光半導體元件,在其上表面具有發硅光受硅光部,且在下表面側被安裝于基板;硅光傳輸路,其具有以規定的角度與硅光半導體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導體元件與硅光傳輸路...

硅光芯片耦合測試系統主要工作可以分為四個部分(1)從波導理論出發,分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優化耦合結構并開發出行之有效的耦合工...

硅光芯片耦合測試系統這些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理...

硅光芯片耦合測試系統是由激光器與硅光芯片集成結構,結構包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導;硅光芯片,硅光芯片包括第二波導,第二波導及第1波導將激光器芯片發出的光耦合至硅光芯片內;第1波導包括依次一體連接的第1倒錐形波導部,矩形波導部及第二倒錐形波導部;第...

耦合掉電，即在耦合的過程中斷電致使設備連接不上的情況，如果電池電量不足或者使用程控電源時供電電壓過低、5V觸發電壓未接觸好、測試連接線不良等都會導致耦合掉電的現象。與此相似的耦合充電也是常見的故障之一，在硅光芯片耦合測試系統過程中，點擊HQ_CFS的“開始”按...

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第...

硅光芯片耦合測試系統這些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理...

硅光芯片耦合測試系統應用到硅光芯片，我們一起來了解硅光芯片的市場定位：光芯片作為光通信系統中的中心器件，它承擔著將電信號轉換成光信號或將光信號轉換成電信號的重任，除了外加能源驅動工作，光器件的轉換能力和效率決定著通信速度。為什么未來需要硅光芯片，這是由于隨著5...

在光芯片領域，芯片耦合封裝問題是硅光芯片實用化過程中的關鍵問題，芯片性能的測試也是尤其重要的一個步驟，現有的硅光芯片耦合測試系統是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調架轉軸進行調光，并依靠對輸出光的光功率進行監控，再反饋到微調架端進行調試。芯...

硅光芯片耦合測試系統系統的測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計，通過光矩陣的光路切換，每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個設備，調光過程使用ASE寬光源，以保證光路通過光芯片后總是出光，ASE光源輸...

說到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產能的重要因素，功率飄通常與耦合板的位置有關，因此在耦合時一定要固定好相應的位置，不可隨便移動，此外部分機型需要使用專屬版本，又或者說耦合RF線材損壞也會對功率的穩定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終...

硅硅光芯片耦合測試系統中硅光耦合結構需要具備:硅光半導體元件,在其上表面具有發硅光受硅光部,且在下表面側被安裝于基板;硅光傳輸路,其具有以規定的角度與硅光半導體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導體元件與硅光傳輸路...

硅硅光芯片耦合測試系統及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發出的硅光束耦合進入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進入硅光源,也提供控制的發射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統包括至少一個平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設有若干擾動部。擾動部具...

硅光芯片耦合測試系統主要工作可以分為四個部分：1、利用開發出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯MZI型硅光芯片調制器的調制特性,針對調制過程,建立數學模型,從數學的角度出發,總結出調制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調制...