硅硅光芯片耦合測試系統中硅光耦合結構需要具備:硅光半導體元件,在其上表面具有發硅光受硅光部,且在下表面側被安裝于基板;硅光傳輸路,其具有以規定的角度與硅光半導體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導體元件與硅光傳輸路之間硅光學地耦合。硅光耦合部由相對于傳輸的硅光透明的樹脂構成,樹脂分別緊貼硅光半導體元件的發硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導體元件與硅光傳輸路通過構成硅光耦合部的樹脂本身被粘接。硅光芯片耦合測試系統優點:數據集中。安徽單模硅光芯片耦合測試系統供應

根據產業鏈劃分,芯片從設計到出廠的中心環節主要包括6個部分:(1)設計軟件,芯片設計軟件是芯片公司設計芯片結構的關鍵工具,目前芯片的結構設計主要依靠EDA(電子設計自動化)軟件來完成;(2)指令集體系,從技術來看,CPU只是高度聚集了上百萬個小開關,沒有高效的指令集體系,芯片沒法運行操作系統和軟件;(3)芯片設計,主要連接電子產品、服務的接口;(4)制造設備,即生產芯片的設備;(5)圓晶代工,圓晶代工廠是芯片從圖紙到產品的生產車間,它們決定了芯片采用的納米工藝等性能指標;(6)封裝測試,是芯片進入銷售前的結尾一個環節,主要目的是保證產品的品質,對技術需求相對較低。應用到芯片的領域比如我們的硅光芯片耦合測試系統。安徽單模硅光芯片耦合測試系統供應測集成電路的功能和性能。

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。
實驗中我們經常使用硅光芯片耦合測試系統獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉器進行了理論分析,該器件能夠實現100%的偏轉轉化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側向外延生長硅光芯片耦合測試系統技術實現Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結果和理論分析證明該集成平臺對于實現InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統針對不同測試件產品的各種應用定制解決方案。

硅光芯片耦合測試系統系統的測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計,通過光矩陣的光路切換,每一時刻在程序控制下都可以形成一個單獨的測試環路。其光路如圖1所示,光源出光包含兩個設備,調光過程使用ASE寬光源,以保證光路通過光芯片后總是出光,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器;測試過程使用可調激光器,以掃描特定功率及特定波長,激光器出光后連接偏振控制器輸入端,以得到特定偏振態下光信號;偏振控制器輸出端接入1個N*1路光開光;切光過程通過輸入端光矩陣,包含N個2*1光開關,以得到特定光源。輸入光進入光芯片后由芯片輸出端輸出進入輸出端光矩陣,包含N個2*1路光開關,用于切換輸出到多通道光功率計或者PD光電二極管,分別對應測試過程與耦合過程。硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處:使用大規模集成性。山東單模硅光芯片耦合測試系統
耦合封裝與光芯片的設計密切相關,也需要結合EIC的封裝整體考慮。安徽單模硅光芯片耦合測試系統供應
硅光芯片耦合測試系統硅光陣列微調設備,微調設備包括有垂直設置的第1角度調節機構與第二角度調節機構,微調設備可帶動設置于微調設備上的硅光陣列在垂直的兩個方向實現角度微調。本發明還提供一種光子芯片測試系統硅光陣列耦合設備,包括有微調設備以及與微調設備固定連接的位移臺,位移臺可實現對探針卡進行空間上三個方向的位置調整?;诠庾有酒瑴y試系統硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對準到芯片端面的光柵區間,從而使得測試過程更加穩定,結果更加準確。安徽單模硅光芯片耦合測試系統供應