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真空鍍膜：各種鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子，以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由于源或靶的不斷改進，擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質量分數，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質量分數降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實現的。由于鍍膜設備的不斷改進，鍍膜過程可以實現連續化，從而地提...

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。真空鍍膜技術有化學氣相沉積鍍膜。杭州真空鍍膜廠PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多...

在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應在被激發的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。三亞新型真空鍍膜磁控濺...

真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入二氧化碳、氮氣等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍技術較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP)，該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&S...

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。真空鍍膜機電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個或幾個孔的閥體。三亞真空鍍膜廠真空鍍膜：物理的氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少...

所謂的原子層沉積技術，是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續化學反應的薄膜形成技術。化學氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學物質執行的。每種前體以連續和自我控制的方式與物體表面反應。通過依次重復對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導體器件制造中的重要過程，部分設備也可用于納米材料合成。真空鍍膜機爐體與爐門為了充分利用爐體的內部空間，減輕真空系統的負載。東莞UV真空鍍膜真空鍍膜：PVD技術工藝步驟：清洗工件：接通直流電源，氬氣進行輝光放...

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。真空鍍膜機模具滲碳是為了提高模具的整體強韌性，即模具的工作表面具有高的強度和耐磨性。貴金屬真空鍍膜實驗室磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發器對鍍材的污染,使膜層更純潔。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發,從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環境友好,可大規模生產等突出優點。真空鍍膜機類金剛石薄膜通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜真空鍍膜的...

真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下，各種物質的飽和蒸氣壓不相同，且具有恒定的數值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質的溫...

針對PVD制備薄膜應力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應過程，有利于形成擴散附著，降低內應力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內應力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應力，利用應變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現與結構薄膜相反的應力狀態，緩解應力帶來的破壞作用，整體上抵消內部應力 真空鍍膜機在集成電路制造中的應用：PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。EB真空鍍膜平臺真空鍍膜：...

真空鍍膜：真空蒸發鍍膜法：真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當普遍。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。真空鍍膜的鍍層質量好。叉指電極真空鍍膜廠商真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術是在真空條件下，應用氣體放電實現鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發物...

通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力，在多層膜結構中可能同時存在多種形式的應力。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性(雜質、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力；5.斜入射造成各向異性成核、生長；6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化 真空鍍膜機光學鍍膜主要有兩種：一種是抗反射膜、另一...

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的...

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術的提升，物理的氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術早在20世紀初已有些應用，但30年迅速發展成為一門極具廣闊應用前景的新技術，并向著環保型、清潔型趨勢發展。在鐘表行業，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應用。物理的氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。真空鍍膜機、真空鍍膜設備多弧離子鍍膜產品質量的高低是針...

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術的提升，物理的氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術早在20世紀初已有些應用，但30年迅速發展成為一門極具廣闊應用前景的新技術，并向著環保型、清潔型趨勢發展。在鐘表行業，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應用。物理的氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。真空鍍膜技術四五十年代開始出現工業應用。朝陽UV真空鍍...

真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態薄膜。真空鍍膜機在集成電路制造中的應用...

真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。真空鍍膜是在真空室內把材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。杭州真空鍍膜技術原子層沉積技術和其他薄膜制備技術。與傳統的薄膜制備技術相比，原子層沉積技術優勢明顯。傳統的溶液化學方...

磁控濺射由于其優點應用日趨增長,成為工業鍍膜生產中主要的技術之一,相應的濺射技術與也取得了進一步的發展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內等離子體的分布,提高了膜層質量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應濺射時的遲滯現象,消除靶中毒和打弧問題,提高制備化合物薄膜的穩定性和沉積速率;改進的磁控濺射靶的設計可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術開辟了新的應用領域，具有誘人的成膜效率和經濟效益，實驗簡單方便。真空鍍膜中離子鍍的鍍層有高硬度、高耐磨性。寧波真空鍍膜工藝真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發源利用燈絲發射的熱電子,經加速陽極加速,獲得動能轟擊處于陽極的蒸發材料,是蒸發材料加熱氣化...

真空鍍膜：反應磁控濺射法：反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發展。真空鍍膜的鍍層質量好。陜西小家電真空鍍膜真空鍍膜：電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比起一般的電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快，制成的薄膜純度高、質量好，厚度可以較準確地控制...

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應氣體氧氣、氮氣、乙炔等離化。這種方法的特點是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難。可應用于鍍光學器件、半導體器件、裝飾品、汽車零件等。此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應離子加熱鍍，集團離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。真空鍍膜的操作規程：鍍制多層介質膜的鍍膜間，應安裝通風吸塵裝置，及時排除有害粉塵。梅州真空鍍膜真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalV...

基片溫度對薄膜結構有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多，容易結晶化，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內應力也會減少，基片溫度低，則易形成無定形結構膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實驗時必須控制好蒸發源溫度。蒸發鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點的金屬。真空鍍膜時，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發離開，剩下的要么結合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個原子或分子在基片上自由擴散，逐漸生長，覆蓋整個基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質量真空鍍膜機真空壓鑄工藝采用鈦...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜機的優點:可采用屏蔽式進行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口，能看到內裝物。光學真空鍍膜儀磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電...

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發.大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區域外以避免污染)并將其加熱到發生電子熱離子發射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中,其動能轉化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數百萬瓦以上).因此,容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發與熱蒸發的區別在于:電子束蒸發是用一束電子轟擊物體,產生高能量進行蒸發, 熱蒸發通過加熱完成這一過程.與熱蒸發相比,電子束蒸發提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。真空鍍膜設備膜層厚度過厚會...

原子層沉積過程由A、B兩個半反應分四個基元步驟進行：1）前驅體A脈沖吸附反應；2）惰氣吹掃多余的反應物及副產物；3）前驅體B脈沖吸附反應；4）惰氣吹掃多余的反應物及副產物，然后依次循環從而實現薄膜在襯底表面逐層生長。基于原子層沉積的原理，利用原子層沉積制備高質量薄膜材料，三大要素必不可少：1）前驅體需滿足良好的揮發性、足夠的反應活性以及一定熱穩定性，前驅體不能對薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用；2）前驅體脈沖時間需保證單層飽和吸附；3）沉積溫度應保持在ALD窗口內，以避免因前驅體冷凝或熱分解等引發CVD生長從而使得薄膜不均勻。真空鍍膜技術有化學氣相沉積鍍膜。洛陽光學真空鍍膜利用PECVD生長的氧化...

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的...

磁控濺射技術比蒸發技術的粒子能量更高，膜基結合力更好，“磁控濺射離子鍍膜技術”就是在普通磁控濺射技術的基礎上，在被鍍工件表面加偏壓，金屬離子在偏壓電場的作用力下，沉積在工件表面，膜層質量和膜基結合力又遠遠好于普通的磁控濺射鍍膜技術。根據靶材的形狀，磁控濺射靶可分為圓形磁控濺射靶、平面磁控濺射靶和柱狀磁控濺射靶。圓形靶主要用于科研和少量的工業應用，平面靶和柱狀靶在工業上大量使用，特別是柱狀靶，憑借超高的靶材利用率和穩定的工作狀態，越來越多的被使用。真空鍍膜中離子鍍簡化可以大量的鍍前清洗工作。湖北反射濺射真空鍍膜加工廠所謂的原子層沉積技術，是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發生...

真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。真空鍍膜機類金剛石薄膜通過蒸餾或濺射等方式在塑件表...

真空鍍膜：反應磁控濺射法：反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發展。真空鍍膜技術有真空蒸發鍍膜。上海光電器件真空鍍膜加工廠電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，跟常規金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據之前的鍍膜經驗，需要在坩堝的結構上做一...