磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的操作規程：易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。珠海UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。河北磁控濺射真空鍍膜公司真空鍍膜機硬化膜沉積技術目前較成熟的是cvd、pvd。

真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。

電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進，以提高鍍膜的效率。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到材料蒸發的熔點。經驗證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發射出來。

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜。真空鍍膜技術有真空濺射鍍膜。珠海UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍簡化可以大量的鍍前清洗工作。珠海UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜：技術優點：鍍層質量好：離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復，不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復，有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數）、很好的耐腐蝕性和化學穩定性等特點，膜層的壽命更長；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過程簡化：現有鍍膜工藝，多數均要求事先對工件進行嚴格清洗，既復雜又費事。然而，離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用，并且這一作用還一直延續于整個鍍膜過程。清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體，有效地增強了附著力，簡化了大量的鍍前清洗工作。珠海UV光固化真空鍍膜

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