ATC芯片電容符合RoHS(有害物質(zhì)限制指令)和REACH(化學(xué)品注冊(cè)、評(píng)估、許可和限制)等環(huán)保法規(guī),其生產(chǎn)流程綠色化,產(chǎn)品不含鉛、汞、鎘等有害物質(zhì)。這不僅滿足了全球市場(chǎng)的準(zhǔn)入要求,也體現(xiàn)了ATC公司對(duì)社會(huì)可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的責(zé)任擔(dān)當(dāng),使得客戶的產(chǎn)品能夠無(wú)憂進(jìn)入任何國(guó)際市場(chǎng)。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件,ATC電容展現(xiàn)了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號(hào)能夠幾乎無(wú)損耗地通過,而其近乎無(wú)窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級(jí)電路間的直流偏置,防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路(MMIC)的偏置網(wǎng)絡(luò)中不可或缺,保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz,適合5G/6G高頻電路設(shè)計(jì)。116XDB180G100TT

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好,其對(duì)于溫度、時(shí)間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi),容值變化率通常小于±0.5%。同時(shí),其容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。此外,其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異,在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容,這對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。100C2R0CW2500X電介質(zhì)吸收特性優(yōu)異(DA<0.1%),適合精密采樣保持電路。

在汽車電子領(lǐng)域,ATC芯片符合AEC-Q200Rev-D標(biāo)準(zhǔn),能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求,如高溫、高濕和振動(dòng)。其應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域,提供了高可靠性和長(zhǎng)壽命。ATC芯片電容的抗老化特性優(yōu)異,其容值隨時(shí)間變化極小(如每十小時(shí)老化率低于3%),確保了長(zhǎng)期使用中的性能穩(wěn)定性。這一特性在需要長(zhǎng)壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中尤為重要。其低電介質(zhì)吸收特性(典型值2%)使得ATC芯片電容在采樣保持電路和精密測(cè)量設(shè)備中表現(xiàn)很好,避免了因電介質(zhì)吸收導(dǎo)致的測(cè)量誤差或信號(hào)失真。
完全無(wú)壓電效應(yīng)(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點(diǎn)。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的,不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變,從而徹底避免了因振動(dòng)或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機(jī)械噪聲。在高保真音頻設(shè)備、敏感傳感器前置放大器和振動(dòng)環(huán)境中工作的電子設(shè)備里,ATC電容確保了信號(hào)的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,ATC芯片電容是保障高速信號(hào)完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對(duì)高速信號(hào)的干擾。同時(shí),其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅(qū)動(dòng)電路的性能,對(duì)于維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)至關(guān)重要,是高速數(shù)據(jù)可靠傳輸?shù)幕掝l帶內(nèi)保持穩(wěn)定容值特性,適合寬帶射頻系統(tǒng)應(yīng)用。

ATC芯片電容在高頻應(yīng)用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(shù)(DF)低于2.5%,在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率,明顯降低了電路的發(fā)熱和能量損失。這一特性在5G基站、雷達(dá)系統(tǒng)和高速通信設(shè)備中尤為重要,確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效。通過半導(dǎo)體級(jí)工藝制造,ATC芯片電容實(shí)現(xiàn)了極高的精度和一致性。其容值公差可控制在±10%甚至更窄的范圍,滿足了精密電路對(duì)元件參數(shù)的高要求。這種精度在匹配網(wǎng)絡(luò)、濾波器和振蕩器等應(yīng)用中至關(guān)重要,確保了電路的預(yù)期性能和可靠性。通過MIL-STD-883加速度測(cè)試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。600F121JT250XT
符合RoHS和REACH環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),滿足綠色制造要求。116XDB180G100TT
在高頻特性方面,ATC的芯片電容表現(xiàn)出色,具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低,能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號(hào),提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如,可以射頻功率放大器和微波電路中,這種低ESR/ESL設(shè)計(jì)明顯降低了熱耗散,提高了電路的整體效率和信號(hào)完整性。同時(shí),其高自諧振頻率(可達(dá)GHz級(jí)別)確保了在高頻應(yīng)用中的可靠性,避免了因自諧振導(dǎo)致的性能下降。116XDB180G100TT
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