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  • 116XEC101G100TT
    116XEC101G100TT

    醫療電子,特別是植入式醫療設備(如起搏器、神經刺激器),對元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會與體液發生反應。其很好的長期穩定性和可靠性,確保了這些“生命攸關”的設備在人體內能夠持續、穩定地工作數十年,無需因元件失效而進行高風險的手術更換。寬廣的容值范圍(從0.1pF的微小值到數微法拉的較大值)使ATC電容能夠覆蓋從射頻、微波到電源管理的幾乎所有電路應用。設計師可以在同一個平臺上,為系統中的高頻信號處理和低頻電源濾波選擇同品牌、同品質的電容,這簡化了供應鏈管理,并保證了系統整體性能的協調一致。總擁有成本優勢明顯,長壽命降低系統維護費用。116X...

  • 800E180FT7200X
    800E180FT7200X

    ATC芯片電容的容值穩定性堪稱行業很好,其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質的電容溫度系數(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的全溫范圍內,容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數定律,每十年變化小于1%,表現出驚人的長期穩定性。此外,其介質材料的直流偏壓特性優異,在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規X7R/X5R類電容,這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要。自諧振頻率可達數十GHz,適合5G/6G高頻電路設計。800E180FT7200XATC芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證,包括壽命測試、...

  • 116XGA201M100TT
    116XGA201M100TT

    優異的直流偏壓特性表現為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數電容(如X7R)在直流偏壓下容值會大幅下降(可達50%甚至更多),而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容(其工作于直流偏壓狀態)至關重要,它確保了電源環路在不同負載下的穩定性,避免了因容值變化而引發的振蕩問題。在阻抗匹配網絡中,ATC電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。無論是基站天線的饋電網絡還是射頻功放的輸出匹配,ATC電容微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性。這意味著天線駐波比(VSWR)始終保持在比較好狀態,功放的能...

  • 700C2R2BW2500X
    700C2R2BW2500X

    這使得它們能夠被直接安裝在汽車發動機控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近、剎車系統或航空航天設備的熱敏感區域,無需復雜的冷卻系統,簡化了設計并提高了系統的整體可靠性。其高溫下的低損耗特性,對于保證高溫環境下的電路效率尤為重要。極低的損耗角正切值(DissipationFactor,DF)是ATC芯片電容在高頻功率應用中無可替代的原因。其DF值通常在0.1%至2.5%的極低范圍內,意味著電容自身的能量損耗(轉化為熱能)極小。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,低DF值直接轉化為更高的系統效率(降低功放發熱)和更大的輸出功率能力。同時,低損耗也意味著自身發熱少,避免了熱失控風險,提升了整個電路...

  • 100E270FW3600X
    100E270FW3600X

    在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎設施、醫療成像設備等要求高可靠性和長期穩定性的領域。其極低的噪聲特性源于介質材料的均勻結構和優化的電極界面設計,在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號調理電路中表現出色,有助于提高系統的信噪比和測量精度。具備優異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護涂層,可有效抵御含硫環境對電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設備、油氣勘探儀器及某些特殊工業環境中的電子系統。通過激光微調技術實現±0.05pF的容值精度,滿足相位敏感型射頻電路的苛刻匹配需求。100...

  • 600F680JT250T
    600F680JT250T

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優異,即使在連續波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節省了PCB空間,為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準,可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗,完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求,廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。在脈沖應用場景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯電阻,可...

  • 600S1R0BT250XT
    600S1R0BT250XT

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優異,即使在連續波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節省了PCB空間,為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準,可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗,完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求,廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。綜合性能好,成為很好的電子系統設計的選擇元件。600S1R0BT25...

  • CDR13BP361CJSM
    CDR13BP361CJSM

    地球同步軌道衛星的T/R組件需在真空與輻射環境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認證,抗γ射線劑量達100kRad。實測表明,在軌運行10年后容值變化<1%,優于傳統鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(如100B2R0BT500XT約¥50/顆)高于普通MLCC,但其壽命周期可達20年,故障率<0.1ppm。以5G基站為例,采用ATC電容的濾波器模塊維修頻率降低70%,全生命周期成本節省約12萬美元/站點。ATC美國工廠采用垂直整合模式,從陶瓷粉體到封裝全流程自主可控,交貨周期穩定在8周內。相比日系競品因地震導致的產能中斷風險,ATC近5年準時交付率保持98%以上,被...

  • 600F9R1AT250T
    600F9R1AT250T

    在微型化方面,ATC芯片電容同樣帶領技術潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝,滿足了現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間很好的追求。盡管體積微小,但ATC通過先進的流延成型和共燒技術,確保了內部多層介質與電極結構的完整性與可靠性,避免了因尺寸縮小而導致的性能妥協。這種“小而強”的特性,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性,在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規X7R/X5R類電容,這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要。其極低的等效串聯電阻(ESR)可明顯降低高頻電路中的能量損耗和熱效應...

  • 800B2R1BT500X
    800B2R1BT500X

    很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應對嚴酷的環境。其產品可在+250°C的高溫環境下持續工作數千小時,而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統汽車和航空航天,更在深井鉆探、地熱發電等超高溫工業應用以及新一代高溫電子產品中,成為不可多得的關鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩定的介質結構和優異的絕緣性能。其介質內部幾乎不存在會隨機產生電荷陷阱和釋放的缺陷,因此其產生的1/f噪聲和爆米花噪聲(PopcornNoise)水平極低。在低噪聲放大器(LNA)、高精度傳感器信號調理電路和微弱信號檢測設備的前端,使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲,保證系統能夠提取出...

  • 116XBB1R5D100TT
    116XBB1R5D100TT

    ATC芯片電容的耐壓能力非常突出,能夠承受較高的工作電壓(如200VDC或更高),確保電路的安全運行。其介質材料和結構設計經過優化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應用中的失效風險。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業控制和汽車電子等領域中成為理想選擇,尤其是在需要高可靠性和安全性的場景中。溫度穩定性是ATC芯片電容的關鍵優勢之一。其采用的材料和工藝確保了在寬溫范圍內(如-55℃至+125℃)容值變化極小,例如C0G/NP0介質的電容溫度系數可低至±30ppm/℃。這種特性使得它在極端環境(如汽車發動機艙或航空航天設備)中仍能保持穩定性能,避免了因溫度波動導致的電路故障醫療級可靠性...

  • 100A270FW150XT
    100A270FW150XT

    在高頻微波電路中,ATC電容可用于實現低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能,其性能穩定性明顯優于分立傳輸線結構,有助于簡化電路設計并提高系統一致性。在電力電子領域,其高絕緣電阻(通常超過10GΩ)和低泄漏電流特性,使ATC電容適用于電能計量芯片的參考電容、隔離反饋電路及新能源逆變器的電壓檢測回路。該類電容具有良好的抗脈沖沖擊能力,可承受高達100A/μs的電流變化率,用于IGBT/MOSFET緩沖電路和開關電源中的吸收回路,能有效抑制電壓過沖和減小開關損耗。優異的可焊性和耐焊接熱性能,適應無鉛回流焊工藝。100A270FW150XT部分高溫系列產品采用特殊陶瓷配方,可在200°C以上環境中...

  • 100A0R6CW150XT
    100A0R6CW150XT

    100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測試,可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風險,符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實現帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環形器設計,將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿足3GPPTS38.104標準。符合AEC-Q200汽車級標準,耐振動、抗沖擊,適合車載電子。100A0R6CW150XT...

  • 116UDB5R1D100TT
    116UDB5R1D100TT

    在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用中表現優異,其高穩定性和低損耗特性確保了信號傳輸的純凈性和效率。在醫療設備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設備和體外診斷設備,確保了患者安全和設備長期穩定性。完全無壓電效應,杜絕嘯叫現象,適合高保真音頻應用。116UDB5R1D100TT出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩定的保證。其介質材料的微觀結構在經過初始...

  • 111ZDA620D100TT
    111ZDA620D100TT

    ATC芯片電容的焊接工藝兼容性良好,可承受回流焊(峰值溫度≤260℃)和波峰焊,適用于標準SMT生產線,提高了制造效率。在雷達系統中,ATC芯片電容的高功率處理能力和低損耗特性確保了脈沖處理和信號傳輸的可靠性,提高了系統性能。其高絕緣電阻(如1000兆歐分鐘)降低了泄漏電流,確保了在高壓和高阻電路中的安全性,避免了因泄漏導致的電路誤差或失效。ATC芯片電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特殊容值、公差和封裝,滿足了特定應用的高要求。采用端電極銀鈀合金鍍層,實現優異的可焊性同時有效抑制硫化現象的發生。111ZDA620D100TT針對高頻應用中的寄生效應,ATC芯片電容進行了性的電極結構優化...

  • CDR14BP472AGSM
    CDR14BP472AGSM

    優異的直流偏壓特性表現為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數電容(如X7R)在直流偏壓下容值會大幅下降(可達50%甚至更多),而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容(其工作于直流偏壓狀態)至關重要,它確保了電源環路在不同負載下的穩定性,避免了因容值變化而引發的振蕩問題。在阻抗匹配網絡中,ATC電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。無論是基站天線的饋電網絡還是射頻功放的輸出匹配,ATC電容微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性。這意味著天線駐波比(VSWR)始終保持在比較好狀態,功放的能...

  • 116ZEA111K100TT
    116ZEA111K100TT

    高Q值(品質因數)是ATC電容在構建高頻諧振電路、濾波器和諧振器時的重點參數。Q值越高,意味著電容的能量損耗越低,諧振曲線的銳度越高。ATC電容的Q值通常在數千量級,這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩定性。在頻率源和選頻網絡中,高Q值ATC電容是提升系統整體性能的關鍵。ATC的制造工藝融合了材料科學與半導體技術,例如采用深反應離子刻蝕(DRIE)來形成高深寬比的介質槽,采用原子層沉積(ALD)來構建超薄且均勻的電極界面。這些前列工藝實現了電容內部三維結構的精確控制,極大地增加了有效電極面積,從而在不增大體積的前提下提升了電容值...

  • CDR14BG2R0EBSM
    CDR14BG2R0EBSM

    部分高溫系列產品采用特殊陶瓷配方,可在200°C以上環境中長期工作,適用于地熱勘探設備、航空發動機監測系統及工業過程控制中的高溫電子裝置。其良好的熱傳導性能有助于芯片工作時產生的熱量快速散逸至PCB,避免局部過熱導致性能退化,提高高功率密度電路的整體可靠性。綜上所述,ATC芯片電容憑借其在頻率特性、溫度穩定性、可靠性、功率處理及環境適應性等方面的綜合優勢,已成為高級電子系統設計中不可或缺的重點元件。隨著5G通信、自動駕駛、人工智能和物聯網技術的快速發展,其技術內涵和應用邊界仍在不斷拓展,持續為電子創新提供關鍵基礎支持。高溫環境下絕緣電阻保持穩定,避免漏電流導致的性能下降。CDR14BG2R0E...

  • 116XEC270G100TT
    116XEC270G100TT

    這使得它們能夠被直接安裝在汽車發動機控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近、剎車系統或航空航天設備的熱敏感區域,無需復雜的冷卻系統,簡化了設計并提高了系統的整體可靠性。其高溫下的低損耗特性,對于保證高溫環境下的電路效率尤為重要。極低的損耗角正切值(DissipationFactor,DF)是ATC芯片電容在高頻功率應用中無可替代的原因。其DF值通常在0.1%至2.5%的極低范圍內,意味著電容自身的能量損耗(轉化為熱能)極小。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,低DF值直接轉化為更高的系統效率(降低功放發熱)和更大的輸出功率能力。同時,低損耗也意味著自身發熱少,避免了熱失控風險,提升了整個電路...

  • 116XK751M100TT
    116XK751M100TT

    在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用中表現優異,其高穩定性和低損耗特性確保了信號傳輸的純凈性和效率。在醫療設備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設備和體外診斷設備,確保了患者安全和設備長期穩定性。超小尺寸封裝(如0402/0201)滿足高密度集成需求,同時保持高頻性能。116XK751M100TT出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩定的保證。其介質材...

  • 116XEA300K100TT
    116XEA300K100TT

    地球同步軌道衛星的T/R組件需在真空與輻射環境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認證,抗γ射線劑量達100kRad。實測表明,在軌運行10年后容值變化<1%,優于傳統鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(如100B2R0BT500XT約¥50/顆)高于普通MLCC,但其壽命周期可達20年,故障率<0.1ppm。以5G基站為例,采用ATC電容的濾波器模塊維修頻率降低70%,全生命周期成本節省約12萬美元/站點。ATC美國工廠采用垂直整合模式,從陶瓷粉體到封裝全流程自主可控,交貨周期穩定在8周內。相比日系競品因地震導致的產能中斷風險,ATC近5年準時交付率保持98%以上,被...

  • 800E222JTN2500X
    800E222JTN2500X

    出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩定的保證。其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律。這意味著,一臺使用了ATC電容的設備,在其十年甚至二十年的使用壽命內,其關鍵電路的參數漂移將被控制在極小的范圍內。這種長期穩定性對于電信基礎設施、工業控制儀表和測試測量設備等長生命周期產品而言,價值巨大。極低的電介質吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項隱性優勢。DA效應猶如電容的“記憶效應”,會在快速充放電后產生殘余電壓,導致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測量誤差。ATC電容的...

  • 700B220JW500XT
    700B220JW500XT

    很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應對嚴酷的環境。其產品可在+250°C的高溫環境下持續工作數千小時,而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統汽車和航空航天,更在深井鉆探、地熱發電等超高溫工業應用以及新一代高溫電子產品中,成為不可多得的關鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩定的介質結構和優異的絕緣性能。其介質內部幾乎不存在會隨機產生電荷陷阱和釋放的缺陷,因此其產生的1/f噪聲和爆米花噪聲(PopcornNoise)水平極低。在低噪聲放大器(LNA)、高精度傳感器信號調理電路和微弱信號檢測設備的前端,使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲,保證系統能夠提取出...

  • 100B121MT300XT
    100B121MT300XT

    完全無壓電效應(Microphonics)是ATC電容區別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優點。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲。在高保真音頻設備、敏感傳感器前置放大器和振動環境中工作的電子設備里,ATC電容確保了信號的純凈度,消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊(如400G/800G光收發器)中,ATC芯片電容是保障高速信號完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處,提供極其高效的寬帶去耦,抑制電源噪聲對高速信號的干擾。同時,其在...

  • 100E1R1CW3600X
    100E1R1CW3600X

    ATC芯片電容的耐壓能力非常突出,能夠承受較高的工作電壓(如200VDC或更高),確保電路的安全運行。其介質材料和結構設計經過優化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應用中的失效風險。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業控制和汽車電子等領域中成為理想選擇,尤其是在需要高可靠性和安全性的場景中。溫度穩定性是ATC芯片電容的關鍵優勢之一。其采用的材料和工藝確保了在寬溫范圍內(如-55℃至+125℃)容值變化極小,例如C0G/NP0介質的電容溫度系數可低至±30ppm/℃。這種特性使得它在極端環境(如汽車發動機艙或航空航天設備)中仍能保持穩定性能,避免了因溫度波動導致的電路故障綜合性能好,...

  • 116XHC430J100TT
    116XHC430J100TT

    100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測試,可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風險,符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實現帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環形器設計,將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿足3GPPTS38.104標準。提供多種封裝形式,包括表面貼裝、插件式和特殊高頻封裝。116XHC430J100TT其介質...

  • 200B123NW50X
    200B123NW50X

    在汽車電子領域,ATC芯片符合AEC-Q200Rev-D標準,能夠承受汽車環境的嚴苛要求,如高溫、高濕和振動。其應用于發動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統和ADAS等領域,提供了高可靠性和長壽命。ATC芯片電容的抗老化特性優異,其容值隨時間變化極小(如每十小時老化率低于3%),確保了長期使用中的性能穩定性。這一特性在需要長壽命和高可靠性的工業控制和基礎設施應用中尤為重要。其低電介質吸收特性(典型值2%)使得ATC芯片電容在采樣保持電路和精密測量設備中表現很好,避免了因電介質吸收導致的測量誤差或信號失真。損耗角正切值低至0.1%,特別適合高Q值諧振電路和濾波應用。200B123NW50X100...

  • 116RF100M100TT
    116RF100M100TT

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優異,即使在連續波或脈沖功率應用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時極大節省了PCB空間,為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準,可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗,完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求,廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。完全無壓電效應,杜絕嘯叫現象,適合高保真音頻應用。116RF100M...

  • 800A1R5BT250XT
    800A1R5BT250XT

    優異的頻率響應特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內保持穩定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段,衰減也微乎其微。這一特性對于寬帶應用如軟件定義無線電(SDR)、電子戰(EW)系統中的寬帶濾波器和匹配網絡至關重要。它保證了系統在整個工作頻帶內都能獲得一致且可預測的性能,避免了因電容頻響不均而導致的信號失真或增益波動。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關鍵。除了標準的表面貼裝(SMD)chip型號,ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線(Microstrip)封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝(Flip-Chip)技術產品。這種靈活性允許工程師根據電路的頻率、...

  • CDR13BG181DGSM
    CDR13BG181DGSM

    在脈沖應用場景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯電阻,可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌,為激光驅動器、雷達調制器和電磁發射裝置提供穩定的能量存儲和釋放功能。其介質材料具有極低的電介質吸收率(通常低于0.1%),在采樣保持電路、積分器和精密模擬計算電路中可明顯減小誤差,提高系統精度,適用于高級測試儀器和醫療成像設備。通過優化內部結構和電極布局,ATC電容在高頻段的Q值(品質因數)極高,特別適用于低相位噪聲振蕩器、高頻濾波器和諧振電路,有助于提升通信系統的頻率穩定性和信號純度。提供定制化服務,可根據特殊需求開發型號。CDR13BG181DGSMATC電容憑借其極低的ESL和ESR,能在極寬...

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