產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計的型號，可實現(xiàn)極低的ESL和ESR，用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中能有效抑制同步開關(guān)噪聲，提升處理器和FPGA的運行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面，部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射，滿足低地球軌道和深空探測任務(wù)的需求，適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設(shè)備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結(jié)構(gòu)，與SnAgCu等無鉛焊料兼容性好，在回流焊和波峰焊過程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊，提高了生產(chǎn)直通率和長期連接可靠性。通過調(diào)整介質(zhì)配方和燒結(jié)工藝，ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容，用于溫度補償電路和傳感器中的線性校正元件，實現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應(yīng)補償。提供定制化服務(wù)，可根據(jù)特殊需求開發(fā)型號。116YA2R2A100TT

每一顆電容都歷經(jīng)了嚴格的內(nèi)部檢驗，包括100%的電氣性能測試。此外，產(chǎn)品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標準的一系列環(huán)境應(yīng)力篩選（ESS）試驗，如溫度循環(huán)（-55°C至+125°C，多次循環(huán)）、機械沖擊（1500G）、振動、耐濕、可焊性等。這種“級”的品質(zhì)，使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務(wù)成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中，成為工程師們的優(yōu)先。在高速數(shù)字系統(tǒng)的電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中，ATC芯片電容的低阻抗特性發(fā)揮著“定海神針”的作用。隨著CPU、GPU、ASIC芯片時鐘頻率的攀升和電壓的下降，電源噪聲容限急劇縮小。CDR14BP821AJSM完全無壓電效應(yīng)，杜絕嘯叫現(xiàn)象，適合高保真音頻應(yīng)用。

ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣，從低電壓的幾伏特到高電壓的數(shù)千伏特（如B系列），可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場集中效應(yīng)，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩(wěn)健的耐壓性能，使其在工業(yè)電機驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中，成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。很好的高溫性能是ATC芯片電容的核心競爭力之一。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。

針對高頻應(yīng)用中的寄生效應(yīng)，ATC芯片電容進行了性的電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化。其采用的三維多層電極設(shè)計，通過精細控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結(jié)構(gòu)，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設(shè)計將等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪裕瑯O大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號傳輸?shù)耐暾耘c效率。自諧振頻率可達數(shù)十GHz，適合5G/6G高頻電路設(shè)計。

ATC電容憑借其極低的ESL和ESR，能在極寬的頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關(guān)噪聲（SSN），確保為芯片重點提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對于防止系統(tǒng)時序錯誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關(guān)重要。ATC芯片電容實現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量，其在單位體積內(nèi)存儲的電荷量（電容值）很好提升。然而，與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同，ATC通過復(fù)雜的材料改性技術(shù)，在獲得高電容密度的同時，依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍，為空間受限的高性能應(yīng)用提供了理想解決方案。提供定制化溫度系數(shù)曲線（-55℃至+200℃），可針對特定應(yīng)用優(yōu)化容溫特性。116XG331M100TT

容值老化率極低，十年變化小于1%，確保長期使用穩(wěn)定性。116YA2R2A100TT

ATC芯片電容具備很好的高頻響應(yīng)特性，其等效串聯(lián)電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數(shù)十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛(wèi)星通信系統(tǒng)。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減，確保系統(tǒng)在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號完整性，為高級射頻前端模塊的設(shè)計提供了關(guān)鍵支持。在溫度穩(wěn)定性方面，采用C0G/NP0介質(zhì)的ATC電容溫度系數(shù)低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內(nèi)，其容值漂移仍遠低于常規(guī)MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設(shè)備中的溫補電路、汽車發(fā)動機控制單元及高溫工業(yè)傳感器等場景。116YA2R2A100TT

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