要使晶閘管從導通狀態轉變回阻斷狀態，需要使陽極電流減小到維持電流以下，或者使陽極電壓變為反向。二、類型與特點類型：單向可控硅：具有單向導電性，常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅（TRIAC）：相當于兩個單向可控硅反向連接，具有雙向導通功能，適用于交流電路的控制。可關斷晶閘管（GTO）：具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。快速晶閘管：開關時間短，工作頻率可達較高值，適用于高頻電路。高電壓和大電流：晶閘管能夠承受高電壓和大電流，適合用于電力控制。姑蘇區加工晶閘管模塊聯系方式

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連接，組成普通晶閘管的控制電路。  普通晶閘管的工作條件：  吳中區新型晶閘管模塊推薦廠家在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發導通后，維持導通狀態所必須的小電流。一般為幾十到一百多毫安。

觸發電流（I_gt）和觸發電壓（V_gt）：用于觸發晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間（t_q）：晶閘管從完全導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。導通壓降（V_f）：晶閘管在導通狀態下兩端的電壓降。浪涌電流能力（I_tsm）：晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態dv/dt能力：晶閘管能夠承受的電壓快速變化率。四、功能應用晶閘管在實際應用中主要作為可控整流器件和可控電子開關使用，廣泛應用于電子電器產品、工業控制及自動化生產領域。具體功能包括：

阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±0.5V；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；控制方式：通過控制觸發信號的時機，可以調節輸出電壓和電流。

TCR的響應迅速，典型的響應時間為1．5～3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數和系統強度的函數。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現了補償器的硬電壓控制特性，它將系統電壓精確地穩定在電壓設定值%上。正常情況下，控制器通過控制電抗器注入節點的感性無功功率，來維持節點電壓不變。當電壓升高，運行點將向右移動，控制器通過增大晶閘管閥的觸發角增大注入節點的感性無功功率，保持節點電壓。當施加正向電壓并觸發其門極時，晶閘管會導通，形成低阻抗通路。虎丘區好的晶閘管模塊品牌

一般ug為 1~5v，ig 為幾十到幾百毫安。姑蘇區加工晶閘管模塊聯系方式

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設備。定義：應用PNPN四層半導體結構和三極（陰極，陽極，門極）實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。平板式特點:全擴散工藝平板陶瓷封裝中心放大門極結構雙面冷卻螺旋式特點：螺柱型1：全封閉陶瓷-金屬螺柱型結構2：全封閉玻璃-金屬螺柱柱形結構姑蘇區加工晶閘管模塊聯系方式

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