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對(duì)稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關(guān)系，它們相互之間互不干擾；不對(duì)稱式結(jié)構(gòu)是整流橋在工作時(shí)整流橋相互之間是主從關(guān)系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會(huì)相互影響。但對(duì)稱式結(jié)構(gòu)增加了平衡電抗器。 [...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時(shí)，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機(jī)、CT掃描儀等設(shè)備...

（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。（5）測(cè)量模塊工作殼溫時(shí)...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計(jì)，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

4、各種保護(hù)功能相對(duì)**，保護(hù)定值、實(shí)現(xiàn)、閉鎖條件和保護(hù)投退可**整定和配制。5、保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡(luò)，滿足電力系統(tǒng)保護(hù)的可靠性。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置具備進(jìn)線保護(hù)、出現(xiàn)保護(hù)，分段保護(hù)、配變保護(hù)、電動(dòng)機(jī)保護(hù)、電容器保護(hù)、主變后備保護(hù)、發(fā)電機(jī)后備保護(hù)、P...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，...

控制方式：通過控制觸發(fā)信號(hào)的時(shí)機(jī)，可以調(diào)節(jié)輸出電壓和電流。應(yīng)用領(lǐng)域：整流電路：用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。調(diào)速控制：在電動(dòng)機(jī)控制中，調(diào)節(jié)電機(jī)的速度。功率控制：用于燈光調(diào)光、加熱器控制等。逆變器：在太陽(yáng)能和風(fēng)能系統(tǒng)中，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。工作原理：晶閘管的工作原...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯(lián)...

1、“給定”電位器旋鈕逆時(shí)針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機(jī)”位置，此時(shí)無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運(yùn)行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓，...

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT...

另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場(chǎng)截止”(FS)型技術(shù)，這使得“成本—性能”...

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET...

Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來...

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會(huì)一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關(guān)斷。若...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕呀涣麟娮兂擅}動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過的最大電流值。它是...

6．什么叫“H級(jí)絕緣，用B級(jí)考核溫升”？就是說，變壓器采用H級(jí)絕緣材料，但是各個(gè)點(diǎn)的工作溫度不允許超過B級(jí)絕緣所允許的工作溫度。這實(shí)際上是對(duì)絕緣材料的一種浪費(fèi)，但是，變壓器的過載能力會(huì)很強(qiáng).1、施工應(yīng)具備的條件(1) 圖紙會(huì)審和根據(jù)廠家資料編制詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測(cè)量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫(kù)存配制有二十幾種保護(hù)，...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...

實(shí)際上，實(shí)際中的三相電抗器的參數(shù)不可能完全相同。三相供電電壓也不一定完全平衡。這種不平衡就會(huì)導(dǎo)致非特征諧波的產(chǎn)生，包括3倍數(shù)次諧波，擴(kuò)散到線路中。正常情況下，非特征諧波的數(shù)值是非常小的。但在嚴(yán)重?cái)_動(dòng)的情況下，正負(fù)半波的觸發(fā)角可能不同，這就會(huì)導(dǎo)致直流分量的產(chǎn)生，...

要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài)，需要使陽(yáng)極電流減小到維持電流以下，或者使陽(yáng)極電壓變?yōu)榉聪颉６㈩愋团c特點(diǎn)類型：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁壕哂袉蜗驅(qū)щ娦裕Ｓ糜谥绷骰騿蜗蚪涣麟娐返目刂啤ｋp向可控硅（TRIAC）：相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，具有雙向?qū)üδ埽m用于交流電...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過控制晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，它的有效電抗可以連續(xù)變化。基本的單相TCR由反并聯(lián)的一對(duì)晶閘管閥T1、T2與...

整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕呀涣麟娮兂擅}動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖3所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過的最大電流值。它是...

這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通...

（2）專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：JB/DQ2113－84《電化學(xué)用整流變壓器》。常見問題：1．整流變壓器的冷卻介質(zhì)有哪幾種？要把熱量從變頻器中帶出來，可以借助的介質(zhì)一般有三種：空氣、水、油。高壓變頻器的發(fā)熱部件主要是兩部分：一是整流變壓器，二是功率元件。變壓器在早期主要采用油...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)...