四種觸發方式可控硅四種觸發方式可控硅四種觸發方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號（圖5a）。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。 [維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。江蘇智能可控硅模塊聯系方式

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。江蘇智能可控硅模塊聯系方式在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據封裝的元器件的不同實現不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節能、節材，能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(power system on a chip，簡寫psoc)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際**把它的發展喻為第二次電子學**。

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

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可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。江蘇智能可控硅模塊聯系方式

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。?1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。?江蘇智能可控硅模塊聯系方式

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