（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。工業園區好的可控硅模塊現價

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。高新區應用可控硅模塊聯系方式使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。 [1]維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。虎丘區質量可控硅模塊廠家現貨

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。工業園區好的可控硅模塊現價

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據封裝的元器件的不同實現不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節能、節材，能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(power system on a chip，簡寫psoc)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際**把它的發展喻為第二次電子學**。工業園區好的可控硅模塊現價

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