微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉移；第四步：沉積結構材料；第五步：光刻定義結構層圖形；第六步：刻蝕完成結構層圖形轉移；第七步：釋放去除系繩層，保留結構層，完成微結構制作；體加工基本流程如下：首先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結構；第五步：去除保護層材料。微納加工平臺主要提供微納加工技術工藝。自貢超快微納加工

微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上，利用微加工技術在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質材料上加工出各種微細結構，如管道、反應池、電極之類的功能單元，完成生物和化學等領域中所涉及的樣品制備、生化反應、處理（混合、過濾、稀釋）、分離檢測等一系列任務，具有快速、高效、低耗、分析過程自動化和應用范圍廣等特點的微型分析實驗裝置。目前已成為微全分析系統（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實驗室（labonachip）的發展重點和前沿領域。為常見的聚合物微流控芯片形式。近年來，由于生化分析的復雜性和多樣性需求，微流控芯片技術的發展愈發趨于組合化和集成化，在一塊芯片基片上集成多種功能單元成為一種常見形式，普遍應用于醫學診斷、醫學分析、藥物篩選、環境監測和燃料電池技術等諸多領域。基于高通量快速分離的需要，多通道陣列并行操作是微流控芯片的發展的趨勢，芯片微通道數量已從較初的12通道、96通道，發展到現在的384通道。焦作微納加工應用光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。

微納加工當中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。硅晶圓包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圓包括單晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光學玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光學樹脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金屬等材料。在我國，微納制造技術同樣是重點發展方向之一。

在過去的幾年中，全球各地的研究機構和大學已開始集中研究微觀和納米尺度現象、器件和系統。雖然這一領域的研究產生了微納制造方面的先進知識，但比較顯然，這些知識的產業應用將是增強這些技術未來增長的關鍵。雖然在這些領域的大規模生產方面已經取得了進步，但微納制造技術的主要生產環境仍然是停留在實驗室中，在企業的大規模生產環境中難得一見。這就導致企業在是否采用這些技術方面猶豫不決，擔心它們可能引入未知因素，影響制造鏈的性能與質量。就這一點而言，投資于基礎設施的發展，如更高的模塊化、靈活性和可擴展性可能會有助于生產成本的減少，對于新生產平臺成功推廣至關重要。這將有助于吸引產業界的積極參與，與率先的研究實驗室一起推動微納產品的不斷升級換代。大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。自貢超快微納加工

新一代微納制造系統應滿足的要求：具有微納特性的組件的小型化連續生產。自貢超快微納加工

無論是大批量還是小規模生產定制產品，都需要開發新一代的模塊化、知識密集的、可升級的和可快速配置的生產系統。而這將用到那些新近涌現出來的微納技術研究成果以及新的工業生產理論體系。給出了微納制造系統與平臺的發展前景。未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括以下幾個方面：（1）微納制造系統的設計、建模和仿真；（2）智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統（工藝、設備和工具集成）；（3）新型靈活的、模塊化的和網絡化的系統結構，以構筑基于制造的知識。自貢超快微納加工