針對柔性電子器件的低溫制備需求，研究所開發(fā)了低溫磁控濺射工藝技術(shù)。通過優(yōu)化濺射功率與工作氣壓參數(shù)，在室溫條件下實現(xiàn)了 ITO 透明導(dǎo)電薄膜的高質(zhì)量沉積，薄膜電阻率低至 1.5×10?? Ω?cm，可見光透射率超過 90%。創(chuàng)新的脈沖偏壓輔助設(shè)計有效提升了薄膜在柔性基底上的附著力，經(jīng) 1000 次彎曲循環(huán)測試后，電阻變化率小于 5%。該技術(shù)打破了傳統(tǒng)高溫沉積工藝對柔性基底的限制，已成功應(yīng)用于柔性顯示面板的電極制備，推動了柔性電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級。在醫(yī)療器械領(lǐng)域，磁控濺射制備的生物相容性薄膜有利于提高醫(yī)療器械的安全性和可靠性。河南反應(yīng)磁控濺射特點

濺射參數(shù)是影響薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。因此，應(yīng)根據(jù)不同的薄膜材料和制備需求，調(diào)整射頻電源的功率、自偏壓等濺射參數(shù)，以控制濺射速率和鍍膜層的厚度。同時，應(yīng)定期監(jiān)測濺射過程，及時發(fā)現(xiàn)并解決參數(shù)異常問題，確保濺射過程的穩(wěn)定性和高效性。磁控濺射設(shè)備在運行過程中，部分部件會因磨損而失效，如陽極罩、防污板和基片架等。因此，應(yīng)定期更換這些易損件，以確保設(shè)備的正常運行。同時，靶材作為濺射過程中的消耗品，其質(zhì)量和侵蝕情況直接影響到薄膜的質(zhì)量和制備效率。因此，應(yīng)定期檢查靶材的侵蝕情況，確保其平整且無明顯缺陷，必要時及時更換靶材。河南反應(yīng)磁控濺射特點在磁控濺射中，磁場的設(shè)計和控制是關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，磁控濺射可以有效地提高離子的利用率和薄膜的覆蓋率。

磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其操作流程主要包括以下幾個步驟：1.準備工作：首先需要準備好目標材料、基底材料、磁控濺射設(shè)備和相關(guān)工具。2.清洗基底：將基底材料進行清洗，以去除表面的雜質(zhì)和污染物，保證基底表面的平整度和光潔度。3.安裝目標材料：將目標材料固定在磁控濺射設(shè)備的靶材架上，并將靶材架安裝在濺射室內(nèi)。4.抽真空：將濺射室內(nèi)的空氣抽出，以達到高真空狀態(tài)，避免氣體分子對濺射過程的干擾。5.磁控濺射：通過加熱靶材，使其表面發(fā)生濺射，將目標材料的原子或分子沉積在基底表面上，形成薄膜。6.結(jié)束濺射：當目標材料的濺射量達到預(yù)定值時，停止加熱靶材，結(jié)束濺射過程。7.取出基底：將基底材料從濺射室內(nèi)取出，進行后續(xù)處理，如退火、表面處理等。總之，磁控濺射的操作流程需要嚴格控制各個環(huán)節(jié)，以保證薄膜的質(zhì)量和穩(wěn)定性

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在磁控濺射技術(shù)的極性調(diào)控領(lǐng)域取得 突破，其開發(fā)的雙向脈沖雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統(tǒng)獨具特色。該系統(tǒng)將兩個磁控靶連接于同一脈沖電源，通過周期性變換靶材極性，使兩靶交替充當陰極與陽極 —— 陰極靶執(zhí)行濺射沉積的同時，陽極靶實現(xiàn)表面清潔，形成獨特的 “自清潔” 效應(yīng)。這種設(shè)計從根本上解決了傳統(tǒng)濺射中靶材表面污染導(dǎo)致的薄膜質(zhì)量下降問題，尤其適用于高精度半導(dǎo)體薄膜制備。相較于單極性濺射系統(tǒng)，該技術(shù)不僅延長了靶材使用壽命，還使薄膜厚度均勻性誤差控制在 5% 以內(nèi)，為大面積鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)提供了 技術(shù)支撐。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所開發(fā)的磁控濺射復(fù)合涂層技術(shù)在高級裝備領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。通過將 CrN 基涂層與自潤滑相結(jié)合，采用多靶磁控濺射系統(tǒng)實現(xiàn)分層沉積 —— 底層通過高能脈沖磁控濺射形成高結(jié)合力過渡層，表層通過平衡磁控濺射引入 MoS?潤滑相。該復(fù)合涂層硬度達到 28GPa，摩擦系數(shù)低至 0.08，在高溫高載荷環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。應(yīng)用于航空發(fā)動機軸承部件后，使部件使用壽命延長 3 倍以上，相關(guān)技術(shù)已通過航空航天領(lǐng)域的嚴苛驗證。磁控濺射制備的薄膜可以用于制備光學(xué)存儲材料和光電子器件。廣州真空磁控濺射儀器

磁控濺射具有高沉積速率、低溫處理、薄膜質(zhì)量好等優(yōu)點。河南反應(yīng)磁控濺射特點

通過旋轉(zhuǎn)靶或旋轉(zhuǎn)基片，可以增加濺射區(qū)域，提高濺射效率和均勻性。旋轉(zhuǎn)靶材可以均勻消耗靶材表面，避免局部過熱和濺射速率下降；而旋轉(zhuǎn)基片則有助于實現(xiàn)薄膜的均勻沉積。在實際操作中，應(yīng)根據(jù)薄膜的特性和應(yīng)用需求，合理選擇旋轉(zhuǎn)靶或旋轉(zhuǎn)基片的方式和參數(shù)。定期清潔和保養(yǎng)設(shè)備是保證磁控濺射設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵。通過定期清潔鍍膜室、更換靶材、檢查并維護真空泵等關(guān)鍵部件，可以確保設(shè)備的正常運行和高效濺射。此外，還應(yīng)定期對設(shè)備進行校準和性能測試，以及時發(fā)現(xiàn)并解決問題，確保濺射過程的穩(wěn)定性和高效性。河南反應(yīng)磁控濺射特點