離子束刻蝕帶領磁性存儲器制造，其連續變角刻蝕策略解決界面磁特性退化難題。在STT-MRAM量產中，該技術創造性地實現0-90°動態角度調整，完美保護垂直磁各向異性的關鍵特性。主要技術突破在于發展出自適應角度控制算法，根據圖形特征優化束流軌跡，使存儲單元熱穩定性提升300%，推動存算一體芯片提前三年商業化。離子束刻蝕在光學制造領域開創非接觸加工新范式，其納米級選擇性去除技術實現亞埃級面形精度。在極紫外光刻物鏡制造中，該技術成功應用駐留時間控制算法，將300mm非球面鏡的面形誤差控制在0.1nm以下。突破性在于建立大氣環境與真空環境的精度轉換模型，使光學系統波像差達到0.5nm極限，支撐3nm芯片制造的光學系統量產。TSV制程還有很大的發展潛力和應用空間。上海鎳刻蝕

電容耦合等離子體刻蝕（CCP）是通過匹配器和隔直電容把射頻電壓加到兩塊平行平板電極上進行放電而生成的，兩個電極和等離子體構成一個等效電容器。這種放電是靠歐姆加熱和鞘層加熱機制來維持的。由于射頻電壓的引入，將在兩電極附近形成一個電容性鞘層，而且鞘層的邊界是快速振蕩的。當電子運動到鞘層邊界時，將被這種快速移動的鞘層反射而獲得能量。電容耦合等離子體刻蝕常用于刻蝕電介質等化學鍵能較大的材料，刻蝕速率較慢。電感耦合等離子體刻蝕(ICP)的原理，是交流電流通過線圈產生誘導磁場，誘導磁場產生誘導電場，反應腔中的電子在誘導電場中加速產生等離子體。通過這種方式產生的離子化率高，但是離子團均一性差，常用于刻蝕硅，金屬等化學鍵能較小的材料。電感耦合等離子體刻蝕設備可以做到電場在水平和垂直方向上的控制，可以做到真正意義上的De-couple，控制plasma密度以及轟擊能量。深圳龍崗刻蝕硅材料三五族材料的干法刻蝕工藝需要根據不同的材料類型、結構形式、器件要求等因素進行優化和調節。

氧化硅刻蝕制程是一種在半導體制造中常用的技術，它可以實現對氧化硅薄膜的精確形貌控制，以滿足不同的器件設計和功能要求。氧化硅刻蝕制程的主要類型有以下幾種：濕法刻蝕：利用氧化硅與酸或堿溶液的化學反應，將氧化硅溶解掉，形成所需的圖案。這種方法的優點是刻蝕速率快，選擇性高，設備簡單，成本低。缺點是刻蝕均勻性差，刻蝕側壁傾斜，不適合高分辨率和高深寬比的結構。干法刻蝕：利用高能等離子體束或離子束對氧化硅進行物理轟擊或化學反應，將氧化硅去除，形成所需的圖案。

深硅刻蝕設備在生物醫學領域也有著重要的應用，主要用于制造生物芯片、微針、微梳等。其中，生物芯片是指用于實現生物分子的檢測、分離和分析的微型化平臺，如DNA芯片、蛋白質芯片、細胞芯片等。深硅刻蝕設備在這些生物芯片中主要用于形成微陣列、微流道、微孔等結構。微針是指用于實現無痛或低痛的皮下或肌肉注射的微小針頭，如固體微針、空心微針、溶解性微針等。深硅刻蝕設備在這些微針中主要用于形成錐形或柱形的針尖、藥物載體或通道等結構。微梳是指用于實現毛發移植或毛發生長的微小梳子，如金屬微梳、聚合物微梳等。深硅刻蝕設備在這些微梳中主要用于形成細長或寬扁的梳齒、導電或絕緣的梳體等結構。干法刻蝕設備根據不同的等離子體激發方式和刻蝕機理，可以分為幾種工藝類型。

。ICP類型具有較高的刻蝕速率和均勻性，但由于離子束和自由基的比例難以控制，導致刻蝕的方向性和選擇性較差，以及扇形效應較大等缺點；三是磁控增強反應離子刻蝕（MERIE），該類型是指在RIE類型的基礎上，利用磁場增強等離子體的密度和均勻性，從而提高刻蝕速率和均勻性，同時降低離子束的能量和方向性，從而減少物理損傷和加熱效應，以及改善刻蝕的方向性和選擇性。MERIE類型具有較高的刻蝕速率、均勻性、方向性和選擇性，但由于磁場的存在，導致設備的結構和控制較為復雜，以及磁場對樣品表面造成的影響難以預測等缺點。硅濕法刻蝕相對于干法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質進行。山東GaN材料刻蝕外協

深硅刻蝕設備在先進封裝中的主要應用之二是SiP技術，從而實現一個多功能或多模式的系統。上海鎳刻蝕

深硅刻蝕設備在先進封裝中的主要應用之二是SiP技術，該技術是指在一個硅片上集成不同類型或不同功能的芯片或器件，從而實現一個多功能或多模式的系統。SiP技術可以提高系統性能、降低系統成本、縮小系統尺寸和重量。深硅刻蝕設備在SiP技術中主要用于實現不同形狀或不同角度的槽道或凹槽刻蝕，以及后續的器件嵌入和連接等工藝。深硅刻蝕設備在SiP技術中的優勢是可以實現高靈活性、高精度和高效率的刻蝕，以及多種氣體選擇和功能模塊集成。上海鎳刻蝕