真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運動特征的不同,在靶表面感應出負的直流脈沖,從而產生濺射的射頻濺射。這種技術Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內提高濺射沉積速率,不是利用導入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產生濺射實現鍍膜的自濺射鍍膜技術。在高真空下,利用離子源發出的離子束對靶濺射,實現薄膜沉積的離子束濺射。其中由二極濺射發展而來的磁控濺射技術,解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應等明顯問題。磁控濺射是現在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術,實現了在低溫、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著。真空鍍膜中離子鍍的鍍層有高硬度、高耐磨性。上海功率器件真空鍍膜

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發器對鍍材的污染,使膜層更純潔。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發,從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環境友好,可大規模生產等突出優點。上海功率器件真空鍍膜真空鍍膜技術有化學氣相沉積鍍膜。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,使得使用領域更加普遍;而鎂作為硬組織植入材料,在近年來投入臨床使用,當在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜,不僅加強了材料的耐蝕性,而且鈦生物體相容性好,比重小、毒性低、更易為人體所接受;在云母、硅片、玻璃等材料上鍍上鈦金屬薄膜,研究其對電磁波的反射、吸收、透射作用,對于高效太陽能吸收、電磁輻射、噪音屏蔽吸收和凈化等領域具有重要意義。除此之外,磁控濺射作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積(CVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的鈦薄膜沉積,可以獲得大面積非常均勻的薄膜。包括歐姆接觸Ti金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴散勢壘層的TiN、TiO2等介質薄膜沉積。在現代機械加工工業中,濺鍍包括Ti金屬、TiAl6V4合金、TiN、TiAlN、TiC、TiCN、TiAlOX、TiB2、等超硬材料,能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能,從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命,應用越來越普遍。

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜的操作規程：把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應輕拿輕放，不得碰撞及濺出。

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。深圳反射濺射真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無小孔。上海功率器件真空鍍膜

PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現精確控制。PECVD反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。上海功率器件真空鍍膜

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