光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配。現在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。表面有顆粒、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠。東莞光刻工藝

光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。曝光中較重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。湖南微納光刻光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。

光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質量控制技術和原材料技術。配方技術是光刻膠實現功能的中心，質量控制技術能夠保證光刻膠性能的穩定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎。配方技術：由于光刻膠的下游用戶是半導體制造商，不同的客戶會有不同的應用需求，同一個客戶也有不同的光刻應用需求。一般一塊半導體芯片在制造過程中需要進行10-50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。針對以上不同的應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。

對于國產光刻膠來說，今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日，發改委聯合工信部、科技部、財政部共同發布了《關于擴大戰略性新興產業投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》，《意見》提出，加快新材料產業強弱項，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破。而在《意見》還未發布之前，部分企業已經聞聲先動了。除了幾家企業加大投資、研發國產光刻膠之外，還有兩家企業通過購買光刻機的方式，開展光刻膠的研發。光刻膠產業，尤其是較優光刻膠一直是日本企業所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。光刻版材質主要是兩種，一個是石英材質一個是蘇打材質，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。

光刻膠行業具有極高的行業壁壘，因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前**大廠商就占據了全球光刻膠市場87%的份額，行業集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業所壟斷，產品絕大多數出自日本和美國公司。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導體材料方面的國產代替是必然趨勢。廣東省科學院半導體研究所。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。佛山光刻價格

接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少。東莞光刻工藝

光刻曝光系統：接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產品的生產。現代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。東莞光刻工藝

廣東省科學院半導體研究所是以提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務為主的****，公司成立于2016-04-07，旗下芯辰實驗室,微納加工，已經具有一定的業內水平。廣東省半導體所致力于構建電子元器件自主創新的競爭力，產品已銷往多個國家和地區，被國內外眾多企業和客戶所認可。