真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面。江門光學真空鍍膜

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區域外以避免污染）并將其加熱到發生電子熱離子發射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數百萬瓦以上）。因此，容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現快速蒸發，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現大批量生產的成熟鍍膜技術。西安光學真空鍍膜在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，必須先開水管，工作中應隨時注意水壓。

影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，不能繼續濺射

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。真空鍍膜鍍的薄膜純度高。

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜在真空條件下制備薄膜，環境清潔，薄膜不易受到污染。西安光學真空鍍膜

分子束外延是一種很特殊的真空鍍膜工藝。江門光學真空鍍膜

伴隨著國際制造業向中國轉移，中國大陸電子元器件行業得到了飛速發展。從細分領域來看，隨著4G、移動支付、信息安全、汽車電子、物聯網等領域的發展，微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產業進入飛速發展期；為行業發展帶來了廣闊的發展空間。電子元器件應用領域十分寬泛，幾乎涉及到國民經濟各個工業部門和社會生活各個方面，既包括電力、機械、礦冶、交通、化工、輕紡等傳統工業，也涵蓋航天、激光、通信、高速軌道交通、機器人、電動汽車、新能源等戰略性新興產業。新型顯示、智能終端、人工智能、汽車電子、互聯網應用產品、移動通信、智慧家庭、5G等領域成為中國電子元器件市場發展的源源不斷的動力，帶動了電子元器件的市場需求，也加快電子元器件更迭換代的速度，從下游需求層面來看，電子元器件市場的發展前景極為可觀。而LED芯片領域，隨著產業從顯示端向照明端演進，相應的電子元器件廠商也需要優化服務型，才能為自身業務經營帶來確定性。因此，從需求層面來看，電子元器件市場的發展前景極為可觀。江門光學真空鍍膜