真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現的是簡單的直流二極濺射，它的優點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應用。磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質由固態直接轉變為等離子態，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業生產。近年來磁控濺射技術發展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件表面而形成薄膜的一種方法。廈門真空鍍膜

電子束蒸發鍍膜技術是一種制備高純物質薄膜的主要方法，在電子束加熱裝置中，被加熱的物質被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質，而其余的大部分物質在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度，即后者實際上變成了被蒸發物質的坩堝。因此，電子束蒸發沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染。在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，這使得人們可以同時或分別蒸發和沉積多種不同的物質。現今主流的電子束蒸發設備中對鍍膜質量起關鍵作用的是電子槍和離子源。廈門真空鍍膜膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關。

真空鍍膜技術：物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質合金類的薄膜刀具上。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發高性能、高可靠性設備的同時，也對其應用領域的擴展，尤其是在高速鋼、硬質合金和陶瓷類刀具中的應用進行了更加深入的研究。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

真空鍍膜：電子束蒸發法：電子束蒸發法是將蒸發材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發材料氣化蒸發后凝結在基板表面形成膜，是真空蒸發鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發展方向。電子束蒸發克服了一般電阻加熱蒸發的許多缺點，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發法：采用激光束蒸發源的蒸鍍技術是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發氣對被鍍材料的污染，達到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達到極高的溫度，利用激光束加熱能夠對某些合金或化合物進行快速蒸發。這對于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發鍍的缺點是制作大功率連續式激光器的成本較高，所以它的應用范圍有一定的限制，導致其在工業中的普遍應用有一定的限制。真空鍍膜機的優點:其封口性能好，尤其包裝粉末狀產品時，不會污染封口部分，保證了包裝的密封性能。

真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。真空鍍膜設備膜層厚度過厚會帶一點黑色，但是是金屬本色黑色。平頂山來料真空鍍膜

真空鍍膜機新型表面功能覆層技術，其特點是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.廈門真空鍍膜

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。原子層沉積技術起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯科學家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發光薄膜平板顯示器對高質量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發展并完善。然而，受限于其復雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術在開始并沒有取得較大發展，直到上世紀九十年代，隨著半導體工業的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術才迎來發展的黃金階段。進入21世紀，隨著適應各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎研究還是實際應用方面，原子層沉積技術都受到人們越來越多的關注。廈門真空鍍膜

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