本發明實施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術問題，本發明提供的技術方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；2)濺鍍制備低發射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發射率膜；本申請提供了一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材及設置在基材的外表面上膜層構成。遼寧AM0太陽光譜模擬AM1.5

步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發射率膜的厚度為200nm；3)反應性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻，反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮氣流量為43sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；浙江購買太陽光譜模擬低價在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻。

為了得到高質量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質反應的氣體，相互反應生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統稱為反應性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應，也會在靶面上與靶材反應生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉換的效率，是本領域技術人員急需解決的技術問題。技術實現要素：

該儀器能夠快速顯示實時光譜，因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置，同時在這些位置記錄更長的曝光光譜，提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm，因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉引起的兩條夫瑯和費鐵線（相對于未移動的氧線）多普勒頻移的測量。在左邊的圖表中，紅色和藍色的線是HF-8989-3光譜儀的實驗數據，當時太陽圓盤的圖像通過輸入光纖移動到光譜儀（從一個邊緣到另一個邊緣）。每個實驗光譜的曝光時間<1秒。膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質的強化膜。

可選地，根據拍攝時刻和地理經度，計算拍攝時刻的太陽時角，包括：根據ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標為(x，y)的像素點在t時刻對應的太陽時角。可選地，根據太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角，包括：根據α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計算太陽高度角α(x，y，d，t)。可選地，根據太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學質量，包括：根據其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學質量。因為不同物質被離子擊出的濺擊產額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性質。河北AM1.5太陽光譜模擬公司

制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。遼寧AM0太陽光譜模擬AM1.5

第五計算單元325，用于根據太陽高度角和所述拍攝位置高程，計算相對大氣光學質量；第六計算單元326，用于根據相對大氣光學質量，計算直射輻射大氣透明度系數，并根據直射輻射大氣透明度系數，計算散射輻射大氣透明度系數；第七計算單元327，用于根據大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、所述直射輻射大氣透明度系數和太陽高度角，計算所述太陽直接輻射強度；第八計算單元328，用于根據散射輻射大氣透明度系數和太陽高度角，計算太陽散射輻射強度。需要說明的是，裝置部分的實施例方式與方法部分的實施例方式對應類似，具體細節請參照方法實施例部分，在此不再贅述。遼寧AM0太陽光譜模擬AM1.5

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