為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明實(shí)施例提出一種用于地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值方法，該方法通過地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程，計算拍攝時刻的太陽赤緯角、太陽時角、太陽高度角、太陽輻射強(qiáng)度、大氣光學(xué)質(zhì)量、直射輻射大氣透明度系數(shù)、直接輻射強(qiáng)度、散射輻射大氣透明度系數(shù)、散射輻射強(qiáng)度、太陽總輻照強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對于不同日期、不同時間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補(bǔ)償值計算。本申請制備的膜層的發(fā)射率為3％～5％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％。江蘇太陽光譜模擬報價

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；北京下打光太陽光譜模擬銷量如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。

近年來，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所功能薄膜與智構(gòu)器件團(tuán)隊聚焦新型金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層研發(fā)，以提升熱穩(wěn)定性為抓手，在新型耐高溫金屬陶瓷材料設(shè)計、光學(xué)模擬、涂層構(gòu)筑和熱穩(wěn)定性強(qiáng)化機(jī)理研究等方面開展了一系列的工作。前期，利用金屬Al合金化Ag納米粒子，結(jié)合多靶共濺射的方法，獲得新型AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜，耐熱溫度較Ag-Al2O3（350℃）提高至500℃，在非真空條件下經(jīng)高溫長時間退火（~1000 h），光學(xué)性能非常穩(wěn)定（ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2015, 331, 285）。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實(shí)現(xiàn)。或者，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜。

步驟5)中，靶材為鉻靶，功率為11kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為110sccm，氧氣流量為90sccm，制得的吸收膜的厚度為80nm；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層；步驟6)中，靶材為硅靶，功率為6kw，電壓為560v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為220sccm，氧氣流量為30sccm，制得的抗反射膜的厚度為120nm。**優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽吸收比α(am1.5)達(dá)0.94，半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。北京下打光太陽光譜模擬銷量

首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應(yīng)用之中。江蘇太陽光譜模擬報價

4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；步驟4)中，靶材為鉻靶，功率為15kw，電壓為510v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為90sccm，氮?dú)饬髁繛?0sccm，氧氣流量為50sccm，制得的過渡膜的厚度為70nm；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；江蘇太陽光譜模擬報價

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司總部位于若水路388號蘇州納米技術(shù)國家大學(xué)科技園B棟10樓1005，是一家光學(xué)鏡頭、天文望遠(yuǎn)鏡及配件的研發(fā)、組裝、銷售及相關(guān)技術(shù)服務(wù)；戶外用品的開發(fā)及銷售。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動）許可項目：貨物進(jìn)出口；進(jìn)出口代理；技術(shù)進(jìn)出口（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn)）一般項目：光學(xué)玻璃銷售；照相機(jī)及器材銷售；教學(xué)儀器銷售；光學(xué)儀器銷售；玻璃儀器銷售；燈具銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的公司。公司自創(chuàng)立以來，投身于天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡，是電子元器件的主力軍。昊躍光學(xué)不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務(wù)。昊躍光學(xué)始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求，提高產(chǎn)品價值，是我們前行的力量。