6、COB(chip on board)板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡單的裸芯片貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。7、DFP(dual flat package)雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,80年代后期已基本上不用。8、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP)表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。常州本地集成電路銷售廠家

26、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月開始投入批量生產。27、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D三大類。MCM-L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低。 MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。惠山區(qū)名優(yōu)集成電路銷售方法集成電路按外形可分為圓形(金屬外殼晶體管封裝型,一般適合用于大功率)、扁平型和雙列直插型。

7、測試儀表內阻要大測量集成電路引腳直流電壓時,應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表,否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。8、要注意功率集成電路的散熱功率集成電路應散熱良好,不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。9、引線要合理如需要加接**元件代替集成電路內部已損壞部分,應選用小型元器件,且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合,尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。例如:肖特基4輸入與非門CT54S20MDC—符合國家標準T—TTL電路54S20—肖特基雙4輸入與非門M—‐55~125℃D—多層陶瓷雙列直插封裝1、BGA(ball grid array)
45、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本電子機械工業(yè)會標準所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP(見QFP)。46、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。47、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。48、QTCP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。TCP封裝之一,在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利用TAB技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。49、QTP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業(yè)會于1993年4月對QTCP所制定的外形規(guī)格所用的名稱(見TCP)。50、QUIL(quad in-line)陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。

集成電路的產生,任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅動力的,而驅動力往往來源于問題。那么集成電路產生之前的問題是,看一下1946年在美國誕生的世界上***臺電子計算機,它是一個占地150平方米、重達30噸的龐然大物,里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬條線,耗電量150千瓦 [1]。顯然,占用面積大、無法移動是它**直觀和突出的問題;如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好,相信,有很多人思考過這個問題,也提出過各種想法。典型的如英國雷達研究所的科學家達默,他在1952年的一次會議上提出:可以把電子線路中的分立元器件,集中制作在一塊半導體晶片上,一小塊晶片就是一個完整電路,這樣一來,電子線路的體積就可**縮小,可靠性大幅提高。前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。江蘇質量集成電路銷售廠家
集成電路按應用領域可分為標準通用集成電路和集成電路。常州本地集成電路銷售廠家
外,由于引線的阻抗小,對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜,成本高,90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結構,芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。常州本地集成電路銷售廠家
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