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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經編譯和擦除循環后電子空穴的凈值(差值)與未經編譯和擦除循環的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環后的輸出電流與編譯和擦除循環前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海智能HTOL測試機上海頂策科技提供可靠性測試整體解決方案，包括各類可靠性測試設備，滿足各類芯片的測試需求。

    HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負載外，主要包括溫度應力和電壓應力，這兩者都屬于加速因子。合理設置溫度應力和電壓應力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產品，溫度應力一般設置在結溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設置更高的溫度，具體根據加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結溫小于材料的極限工作溫度或者熱關斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設計有利于加速因子的提高，這樣可以節省試驗時間。電壓應力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應力還是溫度應力都不允許器件處于過電應力的狀態。

    1.試驗目的標準試驗目的備注JESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態，主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應力變化而產生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應力變化而產生的失效。AEC-Q100參照JESD220-A108F-2017————————————————版權聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技智能HTOL系統，實時監測并記錄環境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態，保證HTOL測試質量。

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