閃存HTOL測試方法與流程本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲器，其具有即使斷電存儲數據也不會丟失而能夠長期保存的特點。故近年來閃存的發展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲速度和高可靠性的閃存存儲器被廣泛應用于包括電腦、手機、服務器等電子產品及設備中。在半導體技術領域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗)用于評估半導體器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存的可靠性而言，在數萬次的循環之后的htol是一個主要指數。通常而言，閃存產品需要在10000次的循環之后，通過1000小時的htol測試。閃存htol實際測試中存在若干小時后閃存測試讀點(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點失效的問題。TH801智能老化系統，監測數據異常自動報警，實時發現問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。閔行區國內HTOL測試機

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第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產品htol可靠性驗證的階段的測試流程例如依次為：初始(***時間點)讀點、48小時(第二時間點)讀點、168小時(第三時間點)讀點、500小時(第四時間點)讀點、1000小時(第n時間點)讀點。本發明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除循環而直接進行htol測試時，發現閃存htol可靠性驗證在48小時(hrs)讀點失效。

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