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  • 116SGA300M100TT
    116SGA300M100TT

    寄生參數是理解電容器頻率響應的關鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)的串聯。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導,阻抗隨頻率升高而下降,表現出典型的電容特性。當頻率達到自諧振頻率(fSRF = 1/(2π√(LC)))時,容抗與感抗相等,阻抗達到最小值,等于ESR。超過fSRF后,感抗(ωL)開始主導,阻抗隨頻率升高而增加,器件表現出電感特性,退耦效果急劇惡化。超寬帶電容的重心目標就是通過技術手段將ESL和ESR降至極低,并將fSRF推向盡可能高的頻率,同時保證在寬頻帶內阻抗都...

  • 116SHC5R1K100TT
    116SHC5R1K100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而,小型化也帶來了挑戰:更小的尺寸對制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求;同時,容值通常較小。因此,在PCB設計中,通常采用“大小搭配”的策略,將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置,以應對比較高頻的噪聲,而稍大封裝的電容則負責稍低的頻段。通過嚴格的溫度循環、壽命測試等可靠性驗證。116SHC5R1K100TT單一電容器...

  • 111YDA180M100TT
    111YDA180M100TT

    多層陶瓷芯片(MLCC)是實現超寬帶電容的主流技術路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術經歷了明顯演進。首先,采用超細粒度、高純度的介電材料(如Class I類中的NPO/COG特性材料),這類材料的介電常數隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩定性。其次,采用層層疊疊的精細內部電極結構,并通過優化電極圖案(如交錯式設計)和采用低電感端電極結構(如三明治結構或帶翼電極),極大縮短了內部電流路徑,有效降低了ESL。,封裝尺寸不斷小型化(如0201, 01005甚至更小),不僅節省空間,更關鍵的是因為更小的物理尺寸意味著更低的固有電感,使其自諧振頻率得以推向更高的頻段,從而覆蓋更寬的頻譜。它是應對...

  • 116TCC2R7D100TT
    116TCC2R7D100TT

    超寬帶電容是一種設計理念和技術追求,旨在讓單個電容器或電容網絡在極其寬廣的頻率范圍內(通常從幾Hz的低頻一直覆蓋到數GHz甚至數十GHz的高頻)保持穩定、一致且優異的性能。其重心價值在于解決現代復雜電子系統,尤其是高頻和高速系統中,傳統電容器因寄生參數(如ESL-等效串聯電感和ESR-等效串聯電阻)影響而導致的頻域性能急劇退化問題。它通過創新的材料學、結構設計和封裝技術,比較大限度地壓制寄生效應,確保從直流到微波頻段的低阻抗特性,為高速集成電路、射頻模塊和微波設備提供跨越多個數量級頻段的純凈能量供應和高效噪聲抑制,是現代電子系統性能突破的關鍵基礎元件。先進的薄膜工藝可制造出性能很好的超寬帶電容...

  • 116SF180M100TT
    116SF180M100TT

    實現超寬帶性能面臨著多重嚴峻的技術挑戰。首要挑戰是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內部結構和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導致能量損耗和發熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質材料本身的頻率響應,不同介質材料的介電常數會隨頻率變化,影響電容值的穩定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設計是材料科學、結構工程和應用技術的結合。在高級服務器和數據中心中保障計算節點穩定運行。116SF180...

  • 116SJ160J100TT
    116SJ160J100TT

    單一電容器無法在超寬頻帶內始終保持低阻抗。因此,在實際電路中,需要構建一個由多個不同容值電容器組成的退耦網絡。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負責濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負責濾除低頻紋波和提供電荷儲備。這些電容并聯后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個范圍內形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網絡(PDN)設計就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實現超寬帶的低阻抗目標。小型化封裝(如0201)固有電感更低,高頻性能更優異。116SJ160J...

  • 118GCA2R2D100TT
    118GCA2R2D100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬帶電容還采用生物兼容性材料和特殊封裝,滿足嚴格的醫療安全標準。這些電容幫助醫療設備實現更高的分辨率和更準確的診斷結果。 汽車電子創新應用現代汽車電子系統日益復雜,超寬帶電容在高級駕駛輔助系統、車載雷達和車載信息娛樂系統中發揮重要作用。77GHz汽車雷達系統使用超寬帶電容進行信號處理和天線調諧。電動汽車的動力系統中,超寬帶電容用于電池...

  • 118HEA240K100TT
    118HEA240K100TT

    寄生參數是理解電容器頻率響應的關鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)的串聯。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導,阻抗隨頻率升高而下降,表現出典型的電容特性。當頻率達到自諧振頻率(fSRF = 1/(2π√(LC)))時,容抗與感抗相等,阻抗達到最小值,等于ESR。超過fSRF后,感抗(ωL)開始主導,阻抗隨頻率升高而增加,器件表現出電感特性,退耦效果急劇惡化。超寬帶電容的重心目標就是通過技術手段將ESL和ESR降至極低,并將fSRF推向盡可能高的頻率,同時保證在寬頻帶內阻抗都...

  • 111TCC3R9M100TT
    111TCC3R9M100TT

    系統級封裝(SiP)是電子 miniaturization 的重要方向。在其中,嵌入式電容技術扮演了關鍵角色。該技術將電容介質材料(如聚合物-陶瓷復合材料)以薄膜形式直接沉積在SiP基板(如硅中介層、陶瓷基板、有機基板)的電源層和地層面之間,形成分布式的去耦電容。這種結構的比較大優勢是幾乎消除了所有封裝和安裝電感(ESL極低),提供了近乎理想的超寬帶去耦性能,同時極大節省了空間。這對于芯片間距極小、功耗巨大且噪聲敏感的2.5D/3D IC封裝(如HBM內存與GPU的集成)至關重要,是解決未來高性能計算電源完整性的終方案之一。直流偏壓會導致Class II介質電容的實際容值下降。111TCC3R...

  • 118HDA100M100TT
    118HDA100M100TT

    多層陶瓷芯片(MLCC)是實現超寬帶電容的主流技術路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術經歷了明顯演進。首先,采用超細粒度、高純度的介電材料(如Class I類中的NPO/COG特性材料),這類材料的介電常數隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩定性。其次,采用層層疊疊的精細內部電極結構,并通過優化電極圖案(如交錯式設計)和采用低電感端電極結構(如三明治結構或帶翼電極),極大縮短了內部電流路徑,有效降低了ESL。,封裝尺寸不斷小型化(如0201, 01005甚至更小),不僅節省空間,更關鍵的是因為更小的物理尺寸意味著更低的固有電感,使其自諧振頻率得以推向更高的頻段,從而覆蓋更寬的頻譜。在高速內...

  • 111ZGA910K100TT
    111ZGA910K100TT

    高性能的測試與測量設備(如高級示波器、頻譜分析儀、網絡分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統。它們的模擬前端、采樣電路、時鐘系統和數據處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設備中無處不在,用于穩定電源、過濾噪聲、耦合信號以及構建內部高頻電路。它們的性能直接影響到設備的基線噪聲、動態范圍、測量精度和帶寬指標。可以說,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號的前列測試設備。這些設備反過來又用于表征和驗證其他超寬帶電容的性能,形成了技術發展的正向循環。直流偏壓會導致Class II介質電容的實際容值下降。111ZGA910K100TT介質材料的選擇直接決定了電...

  • 111ZDB470M100TT
    111ZDB470M100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都能提高fSRF。因此,超寬帶電容常采用以下方法:一是優化內部結構和端電極設計以小化ESL;二是使用小尺寸封裝(如0201比0805的ESL小得多);三是對于極高頻率的退耦,會故意選用較小容值的電容(如100pF, 1nF),因為其SRF更高,專門用于濾除特定高頻噪聲,與較大容值的電容配合使用以覆蓋全頻段。需關注其直流偏壓特性,尤其在低電壓...

  • 116SDA1R5C100TT
    116SDA1R5C100TT

    在現代高速數字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時鐘頻率高達數GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級),會產生極其豐富的高次諧波噪聲。同時,芯片內核電壓不斷降低(<1V),而對噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(電源噪聲)都可能導致邏輯錯誤或時序混亂。超寬帶退耦電容網絡在此扮演了“本地水庫”和“噪聲過濾器”的雙重角色:它們就近為晶體管開關提供瞬態大電流,減少電流回路面積;同時將產生的高頻噪聲短路到地,確保供給芯片的電源電壓無比純凈和穩定,是保障系統高速、可靠運行的生命線。選擇超寬帶電容是為產品高性能和可靠性進行的關鍵投資。116SDA1R5C100TT設計完...

  • 116TEC8R2M100TT
    116TEC8R2M100TT

    系統級封裝(SiP)是電子 miniaturization 的重要方向。在其中,嵌入式電容技術扮演了關鍵角色。該技術將電容介質材料(如聚合物-陶瓷復合材料)以薄膜形式直接沉積在SiP基板(如硅中介層、陶瓷基板、有機基板)的電源層和地層面之間,形成分布式的去耦電容。這種結構的比較大優勢是幾乎消除了所有封裝和安裝電感(ESL極低),提供了近乎理想的超寬帶去耦性能,同時極大節省了空間。這對于芯片間距極小、功耗巨大且噪聲敏感的2.5D/3D IC封裝(如HBM內存與GPU的集成)至關重要,是解決未來高性能計算電源完整性的終方案之一。其性能直接影響無線通信設備的靈敏度和通信距離。116TEC8R2M10...

  • 116TGA560M100TT
    116TGA560M100TT

    低ESL設計是超寬帶電容技術的重中之重。結構創新包括采用多端電極設計,如三端電容或帶翼電極電容,將傳統的兩端子“進-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場、減小凈電感。內部電極采用交錯堆疊和優化布局,盡可能縮短內部電流通路。在端電極方面,摒棄傳統的 wire-bond 或長引線,采用先進的倒裝芯片(Flip-Chip)或landing pad技術,使電容能以短的路徑直接貼裝在PCB的電源-地平面之間,比較大限度地減少由封裝和安裝引入的額外電感。這些結構上的精妙設計是達成皮亨利(pH)級別很低ESL的關鍵。需關注其直流偏壓特性,尤其在低電壓大電流應用中。116TGA560M1...

  • 111TDA3R6K100TT
    111TDA3R6K100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都能提高fSRF。因此,超寬帶電容常采用以下方法:一是優化內部結構和端電極設計以小化ESL;二是使用小尺寸封裝(如0201比0805的ESL小得多);三是對于極高頻率的退耦,會故意選用較小容值的電容(如100pF, 1nF),因為其SRF更高,專門用于濾除特定高頻噪聲,與較大容值的電容配合使用以覆蓋全頻段,形成協同效應。為自動駕駛汽車的毫米...

  • 111TDA4R7M100TT
    111TDA4R7M100TT

    現代汽車電子,特別是自動駕駛系統和ADAS(高級駕駛輔助系統),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達、毫米波雷達)和高速數據處理單元。車載毫米波雷達工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進行退耦和隔直,以確保探測精度和距離分辨率。域控制器和高速網關對數據處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術來保障處理器和存儲器的穩定運行。此外,汽車電子對元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動性要求極高,車規級AEC-Q200認證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件,直接關系到行車安全。車規級超寬帶電容必須通過AEC-Q200等可靠性認證。111TDA4R7M100TT介質材料的選擇直接決定了電容...

  • 116UF131J100TT
    116UF131J100TT

    在射頻和微波系統中,超寬帶電容的應用至關重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過電源線相互串擾,確保信號純凈度和系統靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分量同時允許射頻信號無損通過,要求極低的插入損耗和優異的回波損耗(即良好的阻抗匹配)。此外,在阻抗匹配網絡、濾波器、巴倫(Balun)等無源電路中,高Q值、高穩定性的COG電容是確保電路性能(如帶寬、中心頻率、插損)精確無誤的關鍵元件,廣泛應用于5G基站、衛星通信、雷達等設備中。選擇超寬帶電容是為產品高性能和可靠性進行的關鍵投資。116UF...

  • 111ZCC330D100TT
    111ZCC330D100TT

    實現超寬帶性能面臨著多重嚴峻的技術挑戰。首要挑戰是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內部結構和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導致能量損耗和發熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質材料本身的頻率響應,不同介質材料的介電常數會隨頻率變化,影響電容值的穩定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設計是材料科學、結構工程和應用技術的結合。超寬帶電容指在極寬頻率范圍內保持性能穩定的電容器。111ZCC...

  • 113GF270M100TT
    113GF270M100TT

    材料科學與技術創新。超寬帶電容的重心突破在于材料科學的創新。采用納米級陶瓷粉末制備的介質材料,通過精確控制晶粒尺寸和分布,實現了介電常數的穩定性和一致性。電極材料則選用高導電率的銅銀合金或金基材料,通過真空鍍膜技術形成均勻的薄膜電極。近的技術發展還包括采用石墨烯等二維材料作為電極,進一步提升高頻特性。這些材料的創新配合精密的層壓工藝,使電容器能夠在溫度變化和頻率變化時保持穩定的性能,滿足嚴苛的應用需求。 用于精密測試設備,確保測量信號的真實性與準確性。113GF270M100TT超寬帶電容是一種設計理念和技術追求,旨在讓單個電容器或電容網絡在極其寬廣的頻率范圍內(通常從幾Hz的低頻一直覆蓋...

  • 111XHC240J100TT
    111XHC240J100TT

    與傳統電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達GHz級別。此外,MLCC沒有極性,更安全(無鉭電容的燃爆風險),壽命更長(無電解液干涸問題),溫度范圍更寬。當然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優勢,因此在實際系統中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負責低頻和高頻部分。它能為高速數據轉換器(ADC/DAC)提供純凈電源。111XHC240J100TT在射頻和微波系統中,超寬帶電容的應用至關重要且多樣...

  • 118HDA6R8K100TT
    118HDA6R8K100TT

    測試與測量設備高級測試測量儀器對元器件的性能要求極高。超寬帶電容用于頻譜分析儀、網絡分析儀和高速示波器的前端電路和信號處理部分。在這些儀器中,電容的相位線性度和幅度平坦度直接影響測量精度。特殊設計的超寬帶電容采用空氣橋結構和精確的尺寸控制,確保在DC-50GHz范圍內的穩定性能。校準實驗室級別的電容還提供詳細的S參數模型和溫度特性數據,幫助儀器設計師實現比較好性能。 制造工藝與技術超寬帶電容的制造涉及精密的工藝技術。多層陶瓷電容采用流延成型工藝,將陶瓷漿料形成精確厚度的薄膜,然后通過絲網印刷形成電極圖案。層壓和共燒過程需要精確的溫度控制,確保各層間的完美結合。對于比較高頻率的應用,采...

  • 116SDB1R8D100TT
    116SDB1R8D100TT

    即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個緊鄰的、低電感的過孔(via)將電容的兩個端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對稱的布局設計。對于比較高頻的應用,甚至需要采用嵌入式電容技術,將電容介質材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實現近乎理想的平板電容結構,將寄生電感降至幾乎為零。它能夠有效抑制電磁干擾(EMI),提升產品合規性。116SDB1R8D100TT即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不...

  • 118HK391M100TT
    118HK391M100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都能提高fSRF。因此,超寬帶電容常采用以下方法:一是優化內部結構和端電極設計以小化ESL;二是使用小尺寸封裝(如0201比0805的ESL小得多);三是對于極高頻率的退耦,會故意選用較小容值的電容(如100pF, 1nF),因為其SRF更高,專門用于濾除特定高頻噪聲,與較大容值的電容配合使用以覆蓋全頻段,形成協同效應。低溫共燒陶瓷(LTC...

  • 116UF101M100TT
    116UF101M100TT

    實現超寬帶性能面臨著多重嚴峻的技術挑戰。首要挑戰是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內部結構和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導致能量損耗和發熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質材料本身的頻率響應,不同介質材料的介電常數會隨頻率變化,影響電容值的穩定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設計是材料科學、結構工程和應用技術的結合。失效模式包括機械裂紋、電極遷移和性能退化等。116UF101M...

  • 111TDB3R9D100TT
    111TDB3R9D100TT

    高速數字系統應用現代高速數字系統對電源完整性和信號完整性提出了極高要求。超寬帶電容在處理器、FPGA和ASIC的電源去耦中至關重要。隨著數字信號速率達到數十Gbps,電源噪聲成為限制系統性能的主要因素。超寬帶電容通過提供低阻抗的電源濾波,有效抑制高頻噪聲。采用陣列式布局的超寬帶電容模塊,能夠為芯片提供從直流到GHz頻段的低阻抗路徑,確保電源穩定性。在高速SerDes接口中,超寬帶電容還用于AC耦合和阻抗匹配,保證信號傳輸質量。自諧振頻率(SRF)越高,電容器有效工作頻率上限就越高。111TDB3R9D100TT 超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(通常從幾...

  • 111XK561M100TT
    111XK561M100TT

    實現超寬帶性能面臨著多重嚴峻的技術挑戰。首要挑戰是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內部結構和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR),它會導致能量損耗和發熱,且其值隨頻率變化。第三,是介質材料本身的頻率響應,不同介質材料的介電常數會隨頻率變化,影響電容值的穩定性。,封裝尺寸、安裝方式以及PCB布局都會引入額外的寄生電感和電容,極大地影響終在板性能。因此,超寬帶電容的設計是材料科學、結構工程和應用技術的結合。在航空航天領域,需滿足極端環境下的超高可靠性要求。111XK5...

  • 111SDA1R8D100TT
    111SDA1R8D100TT

    5G通信系統中的關鍵作用5G技術推動了對超寬帶電容的需求激增。在 Massive MIMO 天線系統中,每個天線單元都需要的射頻通道,超寬帶電容用于天線調諧、阻抗匹配和信號耦合。毫米波頻段的應用尤其挑戰性,要求電容在28/39GHz等頻段保持穩定性能。新型超寬帶電容采用低溫共燒陶瓷技術,實現精確的尺寸控制和優異的高頻特性。在5G基站設備中,這些電容還用于功率放大器的輸出匹配網絡,幫助提高能效和線性度。 航空航天與應用航空航天和領域對電子元件的可靠性和性能有極端要求。超寬帶電容在這些應用中用于雷達系統、電子戰設備和衛星通信系統。特殊的設計使其能夠承受極端溫度變化、劇烈振動和度輻射環境。...

  • 111ZEC271D100TT
    111ZEC271D100TT

    設計完成后,必須對實際的PCB進行測量驗證。矢量網絡分析儀(VNA)是測量電容器及其網絡阻抗特性的關鍵工具。通過單端口測量,可以獲取電容器的S11參數,并將其轉換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點以及在高頻下的表現。對于在板PDN阻抗的測量,則通常使用雙端口方法。這些實測數據用于與仿真結果進行對比,驗證設計的正確性,并診斷任何由制造或安裝引入的異常。而已普及到高級消費電子產品中。高級智能手機的5G/4G射頻前端模塊(FEM)、應用處理器(AP)和內存的電源管理,都極度依賴大量的超小型超寬帶MLCC。手機的有限空間和極高的工作頻率,要求電容必須兼具微小尺寸...

  • 116UA0R7B100TT
    116UA0R7B100TT

    微波電路應用在微波領域,超寬帶電容發揮著關鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調諧電容廣泛應用于雷達系統、衛星通信設備和微波收發模塊中。在這些應用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統電容由于寄生參數的影響會導致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結構設計,采用共面電極和分布式電容結構,比較大限度地減少了寄生效應。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網絡的一部分,能夠有效隔離直流同時為射頻信號提供低阻抗通路。為自動駕駛汽車的毫米波雷達提供清潔的電源環境。116UA0R7B100TT超寬帶電容是一種設計理念和技術追求,旨在讓單個電容器或電容網絡在極其寬廣的頻率范圍內(通常從幾Hz的低頻一...

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