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依托強(qiáng)大的研發(fā)與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導(dǎo)體加熱盤定制服務(wù)，滿足特殊工藝與設(shè)備的個(gè)性化需求。可根據(jù)客戶提供的圖紙與參數(shù)，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋 4 英寸至 18 英寸晶圓規(guī)格。材質(zhì)可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復(fù)合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設(shè)定。通過三維建模與溫度場仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，原型樣品交付周期縮短至 15 個(gè)工作日，批量生產(chǎn)前提供 2 臺(tái)樣品進(jìn)行工藝驗(yàn)證。已為長鑫存儲(chǔ)、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)定制**加熱盤，適配其自主研發(fā)設(shè)備，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈完善。持續(xù)改進(jìn)服務(wù)理念，聽取客戶反饋，不斷提升產(chǎn)品性能。陜西陶瓷加熱...

國瑞熱控建立半導(dǎo)體加熱盤全生命周期服務(wù)體系，為客戶提供從選型咨詢到報(bào)廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢，結(jié)合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案；售中提供安裝調(diào)試指導(dǎo)，確保加熱盤與設(shè)備精細(xì)對接，且提供操作培訓(xùn)服務(wù)；售后提供7×24小時(shí)技術(shù)支持，設(shè)備故障響應(yīng)時(shí)間不超過2小時(shí)，維修周期控制在5個(gè)工作日以內(nèi)，同時(shí)提供定期巡檢服務(wù)（每季度1次），提前排查潛在問題。此外，針對報(bào)廢加熱盤提供環(huán)保回收服務(wù)，對可回收材質(zhì)（如不銹鋼、鋁合金）進(jìn)行分類處理，符合國家環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。該服務(wù)體系已覆蓋國內(nèi)30余省市的半導(dǎo)體企業(yè)，累計(jì)服務(wù)客戶超200家，以專業(yè)服務(wù)保障客戶生產(chǎn)線穩(wěn)定運(yùn)行，構(gòu)建長期合作共贏關(guān)系。便于自動(dòng)化集...

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺(tái)受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá) ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設(shè)計(jì)雙層隔熱結(jié)構(gòu)，***層阻隔熱量向下傳導(dǎo)，第二層快速散熱避免設(shè)備腔體溫升過高。配備精細(xì)壓力控制模塊，可根據(jù)鍵合類型調(diào)整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。工作溫度范圍寬泛，滿足低溫烘烤至高溫?zé)Y(jié)需求。普陀區(qū)陶瓷加熱盤生產(chǎn)廠家為降低半導(dǎo)體加熱盤的熱量損耗，...

面向半導(dǎo)體熱壓鍵合工藝，國瑞熱控**加熱盤以溫度與壓力協(xié)同控制提升鍵合質(zhì)量。采用陶瓷加熱芯與銅合金散熱基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于 0.005mm，確保鍵合區(qū)域壓力均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍室溫至 400℃，升溫速率達(dá) 40℃/ 秒，可快速達(dá)到鍵合溫度并保持穩(wěn)定（溫度波動(dòng) ±0.5℃），適配金 - 金、銅 - 銅等不同金屬鍵合工藝。配備壓力傳感器與位移監(jiān)測模塊，實(shí)時(shí)反饋鍵合過程中的壓力變化與芯片位移，通過閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)壓力（0.1-10MPa）與溫度的精細(xì)匹配。與 ASM 太平洋鍵合設(shè)備適配，使鍵合界面電阻降低至 5mΩ 以下，為高可靠性芯片互聯(lián)提供保障。寬泛工作溫度范圍，滿足低溫烘烤到高溫?zé)?..

針對化學(xué)氣相沉積工藝的復(fù)雜反應(yīng)環(huán)境，國瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術(shù)創(chuàng)新**溫控難題。加熱盤內(nèi)置多區(qū)域**溫控模塊，可根據(jù)反應(yīng)腔不同區(qū)域需求實(shí)現(xiàn)差異化控溫，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應(yīng)的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能耐受反應(yīng)腔內(nèi)部腐蝕性氣體侵蝕，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，無擊穿閃絡(luò)風(fēng)險(xiǎn)。搭配高精度鉑電阻傳感器，實(shí)時(shí)測溫精度達(dá) ±0.5℃，通過 PID 閉環(huán)控制確保溫度波動(dòng)小于 ±1℃，為晶圓表面材料的均勻沉積與性能穩(wěn)定提供關(guān)鍵保障，適配集成電路制造的規(guī)模化生產(chǎn)需求。表面特殊處理工藝，耐腐蝕易清潔，適用于各種復(fù)雜工作環(huán)境。青浦...

國瑞熱控高真空半導(dǎo)體加熱盤，專為半導(dǎo)體精密制造的真空環(huán)境設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)無污染加熱解決方案。產(chǎn)品采用特殊密封結(jié)構(gòu)與高純材質(zhì)制造，所有部件均經(jīng)過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環(huán)境下無揮發(fā)性物質(zhì)釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設(shè)計(jì)，與基材緊密結(jié)合，熱量傳遞損耗降低 30%，熱效率***提升。通過內(nèi)部溫度場模擬優(yōu)化，加熱面均溫性達(dá) ±1℃，適配光學(xué)器件鍍膜、半導(dǎo)體晶圓加工等潔凈度要求嚴(yán)苛的場景。設(shè)備可耐受反復(fù)升溫降溫循環(huán)，在 - 50℃至 500℃溫度區(qū)間內(nèi)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，為高真空環(huán)境下的精密制造提供符合潔凈標(biāo)準(zhǔn)的溫控保障。以客戶需求為導(dǎo)向，快速響應(yīng)詢價(jià)定制，誠信合作。南通晶圓加熱盤面向深紫外...

國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤**散熱系統(tǒng)，為設(shè)備快速降溫與溫度穩(wěn)定提供有力支持。系統(tǒng)采用水冷與風(fēng)冷復(fù)合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉(zhuǎn)速散熱風(fēng)扇，可在 10 分鐘內(nèi)將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時(shí)間。散熱系統(tǒng)配備智能溫控閥，根據(jù)加熱盤實(shí)時(shí)溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)水流量與風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，避免過度散熱導(dǎo)致的能耗浪費(fèi)。采用耐腐蝕管路與密封件，在長期使用過程中無漏水風(fēng)險(xiǎn)，且具備壓力監(jiān)測與報(bào)警功能，確保系統(tǒng)運(yùn)行安全。適配高溫工藝后的快速降溫需求，與國瑞加熱盤協(xié)同工作，形成完整的溫度控制閉環(huán)，為半導(dǎo)體制造中多工藝環(huán)節(jié)的連續(xù)生產(chǎn)提供保障。專業(yè)應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)，提供工藝優(yōu)化建議，創(chuàng)造更大價(jià)值。北京半導(dǎo)體...

國瑞熱控清洗槽**加熱盤以全密封結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)適配高潔凈需求，采用 316L 不銹鋼經(jīng)電解拋光處理，表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒脫落風(fēng)險(xiǎn)。加熱元件采用氟塑料密封封裝，與清洗液完全隔離，耐受酸堿濃度達(dá) 90% 的腐蝕環(huán)境，電氣強(qiáng)度達(dá) 2000V/1min。通過底部波浪形加熱面設(shè)計(jì)，使槽內(nèi)溶液形成自然對流，溫度均勻性達(dá) ±0.8℃，溫度調(diào)節(jié)范圍 25℃-120℃。配備防干燒與泄漏檢測系統(tǒng)，與盛美上海等清洗設(shè)備廠商適配，符合半導(dǎo)體制造 Class 1 潔凈標(biāo)準(zhǔn)，為晶圓清洗后的表面質(zhì)量提供保障。多重安全保護(hù)設(shè)計(jì)，漏電過載超溫防護(hù)，安全可靠。奉賢區(qū)晶圓級陶瓷加熱盤國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 9...

針對等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精度 ±1℃。底部設(shè)計(jì)環(huán)形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調(diào)節(jié)系統(tǒng)，快速響應(yīng)刻蝕過程中的溫度波動(dòng)。設(shè)備采用全密封結(jié)構(gòu)，電氣強(qiáng)度達(dá) 2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環(huán)境中絕緣性能穩(wěn)定，適配中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī)等主流設(shè)備，為圖形轉(zhuǎn)移工藝提供可靠溫控。結(jié)構(gòu)緊湊安裝便捷，多重安全保護(hù)，使用安心無顧慮。浙江加熱盤生產(chǎn)廠家國瑞熱控快速退火**加熱盤...

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應(yīng)特性適配 RTP 工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復(fù)合技術(shù)，升溫速率突破 50℃/ 秒，可在數(shù)秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質(zhì)，搭配多組**溫控模塊，通過 PID 閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)溫度快速調(diào)節(jié)，降溫速率達(dá) 30℃/ 秒，有效減少熱預(yù)算對晶圓性能的影響。表面噴涂抗熱震涂層，可承受反復(fù)快速升降溫循環(huán)而無開裂風(fēng)險(xiǎn)，使用壽命超 20000 次循環(huán)。設(shè)備集成溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測系統(tǒng)，與應(yīng)用材料 Centura、東京電子 Trias 等主流爐管設(shè)備兼容，為先進(jìn)制程中的離子***、缺陷修復(fù)工藝提供可靠支持。表面特殊處理工藝，耐腐蝕易清潔，適用于各種...

依托強(qiáng)大的研發(fā)與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導(dǎo)體加熱盤定制服務(wù)，滿足特殊工藝與設(shè)備的個(gè)性化需求。可根據(jù)客戶提供的圖紙與參數(shù)，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋 4 英寸至 18 英寸晶圓規(guī)格。材質(zhì)可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復(fù)合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設(shè)定。通過三維建模與溫度場仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，原型樣品交付周期縮短至 15 個(gè)工作日，批量生產(chǎn)前提供 2 臺(tái)樣品進(jìn)行工藝驗(yàn)證。已為長鑫存儲(chǔ)、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)定制**加熱盤，適配其自主研發(fā)設(shè)備，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈完善。低熱容設(shè)計(jì)，升溫降溫迅捷，適合快速變溫工藝。黃浦區(qū)半導(dǎo)體晶圓加...

國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤**散熱系統(tǒng)，為設(shè)備快速降溫與溫度穩(wěn)定提供有力支持。系統(tǒng)采用水冷與風(fēng)冷復(fù)合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉(zhuǎn)速散熱風(fēng)扇，可在 10 分鐘內(nèi)將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時(shí)間。散熱系統(tǒng)配備智能溫控閥，根據(jù)加熱盤實(shí)時(shí)溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)水流量與風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，避免過度散熱導(dǎo)致的能耗浪費(fèi)。采用耐腐蝕管路與密封件，在長期使用過程中無漏水風(fēng)險(xiǎn)，且具備壓力監(jiān)測與報(bào)警功能，確保系統(tǒng)運(yùn)行安全。適配高溫工藝后的快速降溫需求，與國瑞加熱盤協(xié)同工作，形成完整的溫度控制閉環(huán)，為半導(dǎo)體制造中多工藝環(huán)節(jié)的連續(xù)生產(chǎn)提供保障。獨(dú)特加熱元件設(shè)計(jì)，熱效率大幅提升，節(jié)能環(huán)保同時(shí)保證長期穩(wěn)定運(yùn)行...

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。內(nèi)部嵌入鎢制加熱元件，經(jīng)共燒工藝實(shí)現(xiàn)緊密結(jié)合，加熱面溫度均勻性控制在 ±1℃以內(nèi)，工作溫度上限提升至 800℃，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)鋁合金加熱盤的 450℃極限。表面經(jīng)精密研磨拋光處理，平面度誤差小于 0.01mm，可耐受等離子體長期轟擊無損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現(xiàn)穩(wěn)定，為國產(chǎn)替代提供高性能材質(zhì)解決方案。精益求精每個(gè)環(huán)節(jié)，溫度一致響應(yīng)快，...

面向半導(dǎo)體新材料研發(fā)場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩(wěn)定性成為科研工具。采用石墨與碳化硅復(fù)合基材，工作溫度范圍覆蓋 500℃-2000℃，可通過程序設(shè)定實(shí)現(xiàn)階梯式升溫，升溫速率調(diào)節(jié)范圍 0.1-10℃/ 分鐘。加熱面配備 24 組測溫點(diǎn)，實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度分布，數(shù)據(jù)采樣頻率達(dá) 10Hz，支持與實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)系統(tǒng)對接。設(shè)備體積緊湊（直徑 30cm），重量* 5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實(shí)驗(yàn)需求，已服務(wù)于中科院半導(dǎo)體所等科研機(jī)構(gòu)。便于自動(dòng)化集成，標(biāo)準(zhǔn)接口通訊支持，助力智能制造。連云港半導(dǎo)體加熱盤非標(biāo)定制針對半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫...

針對半導(dǎo)體退火工藝中對溫度穩(wěn)定性的高要求，國瑞熱控退火**加熱盤采用紅外加熱與電阻加熱協(xié)同技術(shù)，實(shí)現(xiàn)均勻且快速的溫度傳遞。加熱盤主體選用低熱慣性的氮化硅陶瓷材質(zhì)，熱導(dǎo)率達(dá) 30W/mK，可在 30 秒內(nèi)將晶圓溫度提升至 900℃，且降溫過程平穩(wěn)可控，避免因溫度驟變導(dǎo)致的晶圓晶格損傷。表面噴涂耐高溫抗氧化涂層，在長期高溫退火環(huán)境下無物質(zhì)揮發(fā)，符合半導(dǎo)體潔凈生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。配備多組溫度監(jiān)測點(diǎn)，實(shí)時(shí)反饋晶圓不同區(qū)域溫度數(shù)據(jù)，通過 PID 閉環(huán)控制系統(tǒng)動(dòng)態(tài)調(diào)整加熱功率，確保溫度波動(dòng)小于 ±1℃。適配離子注入后的退火、金屬硅化物形成等工藝環(huán)節(jié)，與應(yīng)用材料、東京電子等主流退火設(shè)備兼容，為半導(dǎo)體器件性能優(yōu)化提供關(guān)...

針對等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精度 ±1℃。底部設(shè)計(jì)環(huán)形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調(diào)節(jié)系統(tǒng)，快速響應(yīng)刻蝕過程中的溫度波動(dòng)。設(shè)備采用全密封結(jié)構(gòu)，電氣強(qiáng)度達(dá) 2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環(huán)境中絕緣性能穩(wěn)定，適配中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī)等主流設(shè)備，為圖形轉(zhuǎn)移工藝提供可靠溫控。完善技術(shù)文檔提供，安裝指導(dǎo)詳細(xì)清晰，助您快速上手使用。金山區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤非標(biāo)定制國瑞熱控...

電控晶圓加熱盤：半導(dǎo)體工藝的準(zhǔn)確溫控重點(diǎn)。無錫國瑞熱控的電控晶圓加熱盤，以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解釋半導(dǎo)體制造的溫控難題。其底盤內(nèi)置螺旋狀發(fā)熱電纜與均溫膜，通過熱量傳導(dǎo)路徑優(yōu)化，使加熱面均溫性達(dá)到行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)，確保晶圓表面溫度分布均勻，為光刻膠涂布等關(guān)鍵工藝提供穩(wěn)定環(huán)境。搭配高精度溫度傳感器與限溫開關(guān)，溫度波動(dòng)可控制在極小范圍，適配 6 英寸至 12 英寸不同規(guī)格晶圓需求。設(shè)備采用卡接組件連接上盤與底盤，通過轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)齒輪結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速拆裝，大幅降低檢修維護(hù)的停機(jī)時(shí)間，完美契合半導(dǎo)體量產(chǎn)線的高效運(yùn)維需求。高精度溫控可達(dá)±1℃，滿足半導(dǎo)體等嚴(yán)苛工藝需求。蘇州半導(dǎo)體晶圓加熱盤國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)...

依托強(qiáng)大的研發(fā)與制造能力，國瑞熱控提供全流程半導(dǎo)體加熱盤定制服務(wù)，滿足特殊工藝與設(shè)備的個(gè)性化需求。可根據(jù)客戶提供的圖紙與參數(shù)，定制圓形、方形等特殊形狀加熱盤，尺寸覆蓋 4 英寸至 18 英寸晶圓規(guī)格。材質(zhì)可選擇鋁合金、氮化鋁陶瓷、因瓦合金等多種類型，加熱方式支持電阻加熱、紅外加熱及復(fù)合加熱模式，溫度范圍與控溫精度按需設(shè)定。通過三維建模與溫度場仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，原型樣品交付周期縮短至 15 個(gè)工作日，批量生產(chǎn)前提供 2 臺(tái)樣品進(jìn)行工藝驗(yàn)證。已為長鑫存儲(chǔ)、華虹半導(dǎo)體等企業(yè)定制**加熱盤，適配其自主研發(fā)設(shè)備，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈完善。多種規(guī)格形狀靈活定制，滿足特殊需求，無錫國瑞是您可靠合作伙伴。...

國瑞熱控薄膜沉積**加熱盤以精細(xì)溫控助力半導(dǎo)體涂層質(zhì)量提升，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 控制在 0.08μm 以內(nèi)，減少薄膜沉積過程中的界面缺陷。加熱元件采用螺旋狀分布設(shè)計(jì)，配合均溫層優(yōu)化，使加熱面溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，確保薄膜厚度偏差小于 5%。設(shè)備支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)沉積材料特性設(shè)定多段溫度曲線，適配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生長需求。工作溫度范圍覆蓋 100℃至 500℃，升溫速率 12℃/ 分鐘，且具備快速冷卻通道，縮短工藝間隔時(shí)間。通過與拓荊科技、北方華創(chuàng)等設(shè)備廠商的聯(lián)合調(diào)試，已實(shí)現(xiàn)與國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備的完美適配，為半導(dǎo)體器件的絕緣層、鈍化層制備提...

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯(lián)動(dòng)機(jī)床制造螺紋斜孔等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內(nèi)置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經(jīng)真空焊接工藝與基體緊密結(jié)合，熱效率達(dá) 90%，升溫速率 25℃/ 分鐘，工作溫度范圍室溫至 500℃。設(shè)備具備 1000 小時(shí)無故障運(yùn)行能力，通過國內(nèi)主流客戶認(rèn)證，可直接替換進(jìn)口同類產(chǎn)品，在勻氣盤集成等場景中表現(xiàn)優(yōu)異，助力半導(dǎo)體設(shè)備精密零部件國產(chǎn)化。模塊化設(shè)計(jì)，便于維護(hù)更換，減少停機(jī)提升產(chǎn)能。無錫陶瓷加熱盤非標(biāo)定制國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個(gè)**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致的光刻膠膜厚不均。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 60℃至 150℃，升溫速率 10℃/ 分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓表面溫度并動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。設(shè)備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機(jī)配套需求，與 ASML、尼康等設(shè)備的制程參數(shù)匹配，為光刻膠的軟烘、堅(jiān)膜等關(guān)鍵步驟提供穩(wěn)定溫控環(huán)境。創(chuàng)新熱傳導(dǎo)技術(shù)，熱量集中不散失，有效降低能源消耗成本。南京半導(dǎo)體加...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導(dǎo)體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質(zhì)，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于 0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求。加熱元件采用片狀分布設(shè)計(jì)，熱響應(yīng)速度快，可在 5 分鐘內(nèi)將測試溫度穩(wěn)定在 - 40℃至 150℃之間，滿足高低溫循環(huán)測試、老化測試等場景要求。表面采用防粘涂層處理，減少測試過程中污染物附著，且易于清潔維護(hù)。配備可編程溫控系統(tǒng)，支持自定義測試溫度曲線，可存儲(chǔ) 100 組以上測試參數(shù)，方便不同型號器件的測試切換。與長電科技、通富微電等封裝測試企業(yè)合作，適配其自動(dòng)化測試生產(chǎn)線，為半導(dǎo)體器件可靠性驗(yàn)證提供精細(xì)溫度環(huán)境，助力提升產(chǎn)品良率。創(chuàng)新熱傳導(dǎo)技...

針對半導(dǎo)體制造中的高真空工藝需求，國瑞熱控開發(fā)**真空密封組件，確保加熱盤在真空環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復(fù)合結(jié)構(gòu)，耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃，可長期在 10??Pa 真空環(huán)境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細(xì)匹配，通過多道密封設(shè)計(jì)提升真空密封性，避免反應(yīng)腔體內(nèi)真空度下降影響工藝質(zhì)量。組件安裝過程簡單，無需特殊工具，且具備良好的耐磨性與抗老化性能，使用壽命超 5000 次拆裝循環(huán)。適配 CVD、PVD 等真空工藝用加熱盤，與國產(chǎn)真空設(shè)備廠商的反應(yīng)腔體兼容，為半導(dǎo)體制造中的高真空環(huán)境提供可靠密封保障，助力提升工藝穩(wěn)定性與產(chǎn)品良率。多種安裝方式可選，靈活適配不同設(shè)備，安裝...

面向深紫外光刻工藝對晶圓預(yù)處理的需求，國瑞熱控配套加熱盤以微米級溫控助力圖形精度提升。采用鋁合金基體與石英玻璃復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于 0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合。通過紅外加熱與接觸式導(dǎo)熱協(xié)同技術(shù)，升溫速率達(dá) 15℃/ 分鐘，溫度調(diào)節(jié)范圍 60℃-120℃，控溫精度 ±0.3℃，適配光刻膠軟烘、堅(jiān)膜等預(yù)處理環(huán)節(jié)。表面經(jīng)防反射涂層處理，減少深紫外光反射干擾，且具備快速冷卻功能，從 120℃降至室溫*需 8 分鐘，縮短工藝間隔。與上海微電子光刻機(jī)適配，使光刻圖形線寬偏差控制在 5nm 以內(nèi)，滿足 90nm 至 28nm 制程的精密圖形定義需求。快速交付承諾，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品現(xiàn)貨供應(yīng)，定...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度分布曲線與偏差分析，數(shù)據(jù)可通過 USB 導(dǎo)出形成校準(zhǔn)報(bào)告。校準(zhǔn)過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺(tái)設(shè)備校準(zhǔn)時(shí)間縮短至 30 分鐘以內(nèi)。適配國瑞全系列半導(dǎo)體加熱盤，同時(shí)兼容 Kyocera、CoorsTek 等國際品牌產(chǎn)品，幫助企業(yè)建立完善的溫度校準(zhǔn)體系，確保工藝參數(shù)的一致性與可追溯性。精湛工藝嚴(yán)格質(zhì)檢，性能優(yōu)異經(jīng)久耐...

針對半導(dǎo)體制造中的高真空工藝需求，國瑞熱控開發(fā)**真空密封組件，確保加熱盤在真空環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復(fù)合結(jié)構(gòu)，耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃，可長期在 10??Pa 真空環(huán)境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細(xì)匹配，通過多道密封設(shè)計(jì)提升真空密封性，避免反應(yīng)腔體內(nèi)真空度下降影響工藝質(zhì)量。組件安裝過程簡單，無需特殊工具，且具備良好的耐磨性與抗老化性能，使用壽命超 5000 次拆裝循環(huán)。適配 CVD、PVD 等真空工藝用加熱盤，與國產(chǎn)真空設(shè)備廠商的反應(yīng)腔體兼容，為半導(dǎo)體制造中的高真空環(huán)境提供可靠密封保障，助力提升工藝穩(wěn)定性與產(chǎn)品良率。多重安全保護(hù)機(jī)制，過溫過載自動(dòng)防護(hù)，讓您...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個(gè)**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致的光刻膠膜厚不均。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 60℃至 150℃，升溫速率 10℃/ 分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓表面溫度并動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。設(shè)備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機(jī)配套需求，與 ASML、尼康等設(shè)備的制程參數(shù)匹配，為光刻膠的軟烘、堅(jiān)膜等關(guān)鍵步驟提供穩(wěn)定溫控環(huán)境。多種規(guī)格靈活定制，國瑞加熱盤滿足您的特殊應(yīng)用需求。徐州加熱盤廠家針...

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個(gè)**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實(shí)現(xiàn) ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴(yán)苛要求。設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達(dá) 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲(chǔ)等企業(yè)的深度合作，已實(shí)現(xiàn)與國產(chǎn) 12 英寸晶圓生...

在半導(dǎo)體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩(wěn)定溫控助力摻雜濃度精細(xì)控制。其采用耐高溫合金基材，經(jīng)真空退火處理消除內(nèi)部應(yīng)力，可在 400℃高溫下長期穩(wěn)定運(yùn)行而不變形。加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時(shí)具備優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，能快速將晶圓預(yù)熱至設(shè)定溫度并保持恒定。設(shè)備配備雙路溫度監(jiān)測系統(tǒng)，分別監(jiān)控加熱元件與晶圓表面溫度，當(dāng)出現(xiàn)偏差時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)制，溫度控制精度達(dá) ±1℃。適配不同型號離子注入機(jī)，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口實(shí)現(xiàn)快速安裝，為半導(dǎo)體摻雜工藝的穩(wěn)定性與重復(fù)性提供有力支持。高效穩(wěn)定耐用三大優(yōu)勢，國瑞加熱盤經(jīng)得起時(shí)間考驗(yàn)。連云港半導(dǎo)體晶圓加熱盤生產(chǎn)廠家國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤...

國瑞熱控針對氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，通過 PID 精密控制實(shí)現(xiàn) ±0.5℃的控溫精度，精細(xì)匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）。設(shè)備配備惰性氣體導(dǎo)流通道，減少反應(yīng)氣體湍流導(dǎo)致的薄膜缺陷，與中微公司 MOCVD 設(shè)備聯(lián)合調(diào)試，使外延層厚度均勻性誤差控制在 3% 以內(nèi)，為 5G 射頻器件、電力電子器件量產(chǎn)提供**溫控支持。多種安裝方式可選，靈活適配不同設(shè)備，...