低溫CMOS芯片的常溫預(yù)篩與參數(shù)表征。許多用于量子計算的控制芯片需在毫開爾文溫度下工作，但其制造仍基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機前，必須通過常溫下的嚴(yán)格電性測試進(jìn)行預(yù)篩選。國磊（Guolei）GT600支持每引腳PPMU（參數(shù)測量單元）和可編程浮動電源（-2.5V~7V），能精確測量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關(guān)鍵參數(shù)，有效剔除早期失效器件，避免昂貴的低溫測試資源浪費。量子測控SoC的量產(chǎn)驗證平臺 隨著量子計算機向百比特以上規(guī)模演進(jìn)，集成化“量子測控SoC”成為趨勢（如Intel的Horse Ridge芯片）。這類芯片集成了多通道微波信號調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測試能力、128M向量深度及400MHz測試速率，完全可滿足此類**SoC在工程驗證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。電源門控模塊在喚醒時快速供電進(jìn)入狀態(tài)。GT600利用GT-TMUHA04測量從門控信號到模塊輸出有效信號的時間。長沙CAF測試系統(tǒng)參考價

 PPMU功能實現(xiàn)每引腳**電源管理測試 智能駕駛SoC通常包含多個電源域，以實現(xiàn)動態(tài)功耗管理。杭州國磊GT600每通道集成PPMU（每引腳參數(shù)測量單元），支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四種工作模式，可**控制每個引腳的電壓施加與電流測量。這一能力對于驗證芯片在低功耗休眠、喚醒切換、電壓驟降等場景下的行為至關(guān)重要。例如，在模擬車輛啟動瞬間電源波動時，GT600可精確監(jiān)測各電源域的電流響應(yīng)，確保SoC不會因電源異常導(dǎo)致功能失效或安全風(fēng)險。國產(chǎn)替代絕緣電阻測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)精密的電流檢測能力，實時捕捉微小電流變化。

    MEMS麥克風(fēng)消費電子中***采用的數(shù)字/模擬MEMS麥克風(fēng)，內(nèi)部包含聲學(xué)傳感MEMS結(jié)構(gòu)與低噪聲前置放大器ASIC。關(guān)鍵指標(biāo)包括靈敏度、信噪比（SNR）、總諧波失真（THD）和AOP（聲學(xué)過載點）。杭州國磊（Guolei）支持點：GT-AWGLP02AWG板卡生成純凈1kHz正弦激勵（THD<-122dB）；高分辨率Digitizer采集輸出信號，計算SNR與THD；支持I2S/PDM等數(shù)字音頻接口協(xié)議測試；可進(jìn)行多顆麥克風(fēng)并行測試（512Sites），滿足手機廠商大批量需求。壓力傳感器（氣壓/差壓/***壓力）用于可穿戴健康監(jiān)測（如血氧估算）、汽車胎壓監(jiān)測（TPMS）、工業(yè)過程控制等。其ASIC需處理pF級電容變化，并具備溫度補償與校準(zhǔn)功能。杭州國磊（Guolei）支持點：PPMU施加精確偏置電壓并測量微安級工作電流；AWG模擬不同壓力對應(yīng)的電容激勵信號；Digitizer采集校準(zhǔn)后數(shù)字輸出（如I2C讀數(shù)），驗證線性度與零點漂移；支持高低溫環(huán)境下的參數(shù)漂移測試（配合溫控分選機）。

支持復(fù)雜測試向量導(dǎo)入，加速算法驗證閉環(huán) 智能駕駛芯片的**價值在于其內(nèi)置的AI推理引擎能否準(zhǔn)確執(zhí)行感知與決策算法。杭州國磊GT600支持從其他測試平臺導(dǎo)入測試程序與向量，并兼容STDF、CSV、Excel等多種數(shù)據(jù)格式，便于將仿真環(huán)境中的算法測試用例直接轉(zhuǎn)化為ATE（自動測試設(shè)備）可執(zhí)行的測試向量。例如，可在GT600上加載真實道路場景下的圖像識別或目標(biāo)檢測激勵序列，驗證NPU在極限負(fù)載下的響應(yīng)正確性與時延表現(xiàn)，從而構(gòu)建“算法—芯片—測試”一體化驗證閉環(huán)。國磊GT600多通道浮動SMU設(shè)計，支持多電源域模擬芯片（如多路電源管理IC）的單一電壓施加與電流監(jiān)測。

    GT600SoC測試機在測試高可靠性產(chǎn)品（如車規(guī)芯片、工業(yè)級MCU、航天電子、醫(yī)療設(shè)備芯片）時，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。首先，高精度參數(shù)測量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測量單元），可精確測量nA級靜態(tài)漏電流（Iddq），識別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長期使用后極易失效。GT600通過精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測試項目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測試（Burn-in），在高溫高壓下運行芯片數(shù)百小時，加速暴露早期缺陷。其浮動SMU電源板卡能模擬車載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗證芯片在電壓波動、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對于通信類高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測信號時序漂移，確保長期通信無誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長周期測試能力。GT600硬件設(shè)計冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時連續(xù)運行，可執(zhí)行長達(dá)數(shù)周的耐久性測試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長周期測試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強。 國磊GT600GPIB/TTL接口支持與外部源表、LCR表、溫控臺聯(lián)動，構(gòu)建高精度模擬參數(shù)測試系統(tǒng)。廣東CAF測試系統(tǒng)研發(fā)

國磊GT600SoC測試機作為一款通用型高jiATE，其設(shè)計目標(biāo)是支持廣類型的復(fù)雜SoC芯片的測試驗證。長沙CAF測試系統(tǒng)參考價

    杭州國磊（Guolei）SoC測試系統(tǒng)（以GT600為**）雖主要面向高性能系統(tǒng)級芯片（SoC）的數(shù)字與混合信號測試，但憑借其高精度模擬測量、靈活電源管理、高速數(shù)字接口驗證及并行測試能力，能夠有效支持多種MEMS（微機電系統(tǒng)）。以下是其具體支持的典型MEMS應(yīng)用場景：1.慣性測量單元（IMU）IMU廣泛應(yīng)用于智能手機、無人機、AR/VR設(shè)備及智能駕駛系統(tǒng)，通常集成3軸加速度計+3軸陀螺儀（6DoF）甚至磁力計（9DoF）。其配套ASIC需完成微弱電容信號調(diào)理、Σ-ΔADC轉(zhuǎn)換、溫度補償和SPI/I2C通信。杭州國磊（Guolei）支持點：利用24位高精度Digitizer板卡捕獲nV~μV級模擬輸出；通過TMU（時間測量單元）驗證陀螺儀響應(yīng)延遲與帶寬；使用400MHz數(shù)字通道測試高速SPI接口時序（眼圖、抖動）；PPMU每引腳**供電，精確測量各工作模式功耗。 長沙CAF測試系統(tǒng)參考價