在醫療設備領域，對電氣設備的穩定性、可靠性和安全性要求極高，Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊恰好滿足了這些嚴格要求。例如在一些大型醫療影像設備中，如磁共振成像（MRI）設備和計算機斷層掃描（CT）設備，需要高精度、高穩定性的電源供應來保證設備的正常運行和圖像質量。Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊能夠精確控制電源的輸出，為設備提供穩定的電力，確保成像過程的順利進行，幫助醫生獲取清晰、準確的影像信息，從而為疾病診斷提供有力依據。在生命支持設備中，其可靠性更是關乎患者的生命安全，保障了設備的不間斷運行。Ixys艾賽斯場效應管采用屏蔽柵極結構，有效降低米勒電容，減少開關損耗，優化系統效率。IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B

Ixys 艾賽斯雪崩二極管模塊專為電路過壓保護設計，利用二極管的雪崩擊穿效應，在電路出現瞬時過壓時快速導通，將過壓能量泄放至地，保護后端器件免受損壞。模塊采用強化的硅芯片結構與精確的摻雜工藝，實現了可控的雪崩擊穿電壓與穩定的擊穿特性，擊穿電壓精度可控制在 ±5% 以內。其峰值脈沖功率耐受能力從數百瓦到數十千瓦不等，響應時間短至納秒級，且具備重復雪崩工作能力。在電力電子系統的浪涌防護、IGBT 過壓箝位等場景中，該模塊能提供可靠的安全保障，降低系統因過壓故障導致的停機風險。IXYS艾賽斯MCD95-12iO1BIXYS艾賽斯模塊焊接設備中穩電弧，低損耗提升能量利用率。

電力系統的安全穩定運行離不開 Ixys 艾賽斯模塊的精確控制。在高壓直流輸電（HVDC）換流站，可控硅模塊組成換流橋，實現交直流電能轉換，其 6500V 耐壓與 3000A 電流特性適配大功率輸電需求；靜止無功補償器（SVC）中，可控硅模塊快速投切電抗器與電容器，動態調節電網無功功率，維持電壓穩定；配電系統的智能斷路器則采用小型化 IGBT 模塊，實現故障電流快速分斷。這些模塊具備高可靠性與長壽命特性，平均無故障時間（MTBF）超 10 萬小時，為電網安全提供底層保障。

電力系統中無功功率失衡會導致電壓波動、功率因數降低，影響電網穩定性與供電質量，Ixys 艾賽斯可控硅模塊在靜止無功補償器（SVC）中實現動態無功調節。SVC 通過可控硅模塊控制電抗器與電容器的投切，當電網無功不足時，投入電容器提供容性無功；當無功過剩時，投入電抗器吸收感性無功。模塊的快速觸發與關斷特性（響應時間＜10ms）確保了無功補償的實時性，可跟隨電網負荷變化動態調整無功輸出，使功率因數維持在 0.95 以上。在鋼鐵廠、變電站、新能源電站等場景，該模塊提升了電網穩定性，降低了輸電損耗與電費成本。艾賽斯深耕功率半導體領域，致力于推動能源高效利用與綠色發展。

Ixys 艾賽斯肖特基整流橋模塊基于金屬 - 半導體接觸的肖特基勢壘原理，具備零反向恢復電荷、低正向導通電壓的**優勢，從根本上消除了反向恢復損耗，開關速度遠超傳統 PN 結整流橋。模塊采用貴金屬（如鉑、鈀）接觸與溝槽結構設計，提升了電流密度與耐高溫性能，正向導通電壓可低至 0.4V，反向耐壓覆蓋 50V-1200V，電流等級可達 300A。封裝采用緊湊的表面貼裝或 MODULE 形式，適配低壓大電流場景的小型化設計需求。在 DC-DC 轉換器、鋰電池充電器、新能源汽車低壓電源等場景中，肖特基整流橋模塊能***降低電源損耗，提升能量轉換效率，是實現高效電源設計的關鍵器件。IXYS艾賽斯模塊整流橋模塊集成橋式結構，簡化AC-DC轉換電路設計。IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B

Ixys艾賽斯場效應管光伏逆變器中，可提升電能轉換效率，*大化利用太陽能資源。IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B

Ixys 成立于 1983 年，**初主要向高速列車提供高功率 IGBT，是美國**早從事 IGBT 產品的半導體企業。自成立以來，Ixys 始終致力于提高效率、降低能耗的功率半導體產品的研發和生產。多年來，通過不斷的技術創新與積累，其 IGBT 模塊在性能上取得了巨大突破。從**初簡單滿足基本電力轉換需求，到如今能在復雜、高要求的應用場景中穩定運行，Ixys 艾賽斯 IGBT 模塊見證了電力電子技術的飛速發展，也憑借自身優勢在市場中占據了重要地位，為眾多行業的電力驅動與控制提供了可靠保障。IXYS艾賽斯MCD95-12iO1B