IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。IGBT驅動：IGBT常被用于中大功率數字電源開發，其驅動電壓范圍為-15~15V。金山區國產驅動電路服務熱線

Windows怎樣知道安裝的是什么設備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設備類型、生產廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑，以及要添加到注冊表中的信息。通過讀取和解釋這些文字，Windows便知道應該如何安裝驅動程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅動程序都帶有安裝信息文件。事實上，.inf文件不僅可用于安裝驅動程序，還能用來安裝與硬件并沒有什么關系的軟件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新時下載的系統部件就是利用.inf文件來說明如何安裝該部件的。楊浦區特點驅動電路哪家好MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。

推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時，兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通，所以導通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管，始終處于一個導通、一個截止的狀態，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結構稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當輸出低電平時，也就是下級負載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當輸出高電平時，也就是下級負載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經 T3、D1 拉出。

根據圖2中，RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時間系數，θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零，即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時，電路對應的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值，Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數如式(6)所示。它是電子設備和系統中至關重要的組成部分，廣泛應用于計算機、通信設備、電視、汽車、機器人等領域。

在安裝驅動程序時，Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下，以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外，還有兩個特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它們都是Windows為了加快處理速度而自動生成的二進制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設備，也許朋友們會有印象：當我們在安裝某些設備時，經常會看到一個“創建驅動程序信息庫”的窗口，此時Windows便正在生成這兩個二進制文件。個人的職業發展可能受到內在驅動（如興趣、目標）和外部驅動（如薪水、晉升機會）的影響。金山區國產驅動電路服務熱線

以MOS管為例，當柵極電壓達到一定的閾值時，MOS管會導通；金山區國產驅動電路服務熱線

在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。金山區國產驅動電路服務熱線

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