PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流（IT）即比較大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。徐匯區挑選可控硅現價

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向導通。徐匯區國產可控硅哪家好按一機部IBI144一75的規定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。可控硅結構示意圖和符號圖結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、***科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。崇明區國產可控硅哪家好

如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。徐匯區挑選可控硅現價

⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。徐匯區挑選可控硅現價

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