在安裝驅動程序時，Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下，以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外，還有兩個特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它們都是Windows為了加快處理速度而自動生成的二進制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設備，也許朋友們會有印象：當我們在安裝某些設備時，經常會看到一個“創建驅動程序信息庫”的窗口，此時Windows便正在生成這兩個二進制文件。驅動集成芯片：在數字電源中應用，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。靜安區優勢驅動電路量大從優

由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]靜安區優勢驅動電路量大從優效率：選擇合適的元件以提高電路的效率，減少功耗。

可控硅前沿調光器若直接用于控制普通的LED驅動器，LED燈會產生閃爍，更不能實現寬范圍的調光控制。原因歸結如下：(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調光器功率等級不同，維持電流一般是7～75mA(驅動電流則是7～100mA)，導通后流過可控硅的電流必須要大于這個值才能繼續導通，否則會自行關斷。(2)阻抗匹配問題。當可控硅導通后，可控硅和驅動電路的阻抗都發生變化，且驅動電路由于有差模濾波電容的存在，呈容性阻抗，與可控硅調光器存在阻抗匹配的問題，因此在設計電路時一般需要使用較小的差模濾波電容。

IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。傳感器檢測到的物理量（如溫度、壓力等）可以通過驅動電路轉換為電信號，以便進行后續處理和分析。

3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。閔行區推廣驅動電路貨源充足

物理意義：指推動或驅使某物運動的力量或機制。例如，汽車的發動機驅動汽車前進。靜安區優勢驅動電路量大從優

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。靜安區優勢驅動電路量大從優

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