文中設計的電路利用RC充放電電路來實現這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調制PWM芯片結合外圍電路來搭建可控硅調光的LED驅動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當輸入電流較小時，維持電流補償電路上流過較大的電流;當輸入電流較大時，維持電流補償電路關斷，維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調光器，其**小導通角約為30°。BJT驅動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅動負載，適合低頻應用。靜安區制造驅動電路專賣店

推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時，兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通，所以導通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管，始終處于一個導通、一個截止的狀態，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結構稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當輸出低電平時，也就是下級負載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當輸出高電平時，也就是下級負載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經 T3、D1 拉出。黃浦區本地驅動電路量大從優IGBT的驅動電路一般采用驅動芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。

門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -

根據圖2中，RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時間系數，θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零，即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時，電路對應的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值，Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數如式(6)所示。由單個電子元器件連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。

在需要使用比較多的led產品時，如果將所有的LED串聯，將需要LED驅動器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯，則需要LED驅動器輸出較大的電流。將所有的LED串聯或并聯，不但限制著LED的嚴使用量，而且并聯LED負載電流較大，驅動器的成本也會增加，解決辦法是采用混聯方式。串、并聯的LED數量平均分配，這樣，分配在一個LED串聯支路上的電壓相同，同一個串聯支路中每個LED上的電流也基本相同，亮度一致，同時通過每個串聯支路的電流也相近。 [1]驅動電路是用于控制和驅動其他電路或設備的電路。靜安區制造驅動電路專賣店

根據具體的應用場景和需求，還有推挽驅動、隔離驅動、加速關斷驅動等多種設計方案。靜安區制造驅動電路專賣店

驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能，以實現主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離，是一種電路簡單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。靜安區制造驅動電路專賣店

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