Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時(shí)***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件，它用特定語(yǔ)法的文字來(lái)說(shuō)明要安裝的設(shè)備類(lèi)型、生產(chǎn)廠商、型號(hào)、要拷貝的文件、拷貝到的目標(biāo)路徑，以及要添加到注冊(cè)表中的信息。通過(guò)讀取和解釋這些文字，Windows便知道應(yīng)該如何安裝驅(qū)動(dòng)程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅(qū)動(dòng)程序都帶有安裝信息文件。事實(shí)上，.inf文件不僅可用于安裝驅(qū)動(dòng)程序，還能用來(lái)安裝與硬件并沒(méi)有什么關(guān)系的軟件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新時(shí)下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件來(lái)說(shuō)明如何安裝該部件的。IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開(kāi)發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。●分布式電源架構(gòu)●汽車(chē)電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝嘉定區(qū)特點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電路貨源充足驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ；反偏截止電壓，使ic迅速下降，減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定，功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開(kāi)通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高，一般>10V；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿； （加速開(kāi)通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速開(kāi)通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。這種放大作用確保了信號(hào)具有足夠的能量去控制其他電子器件，如電機(jī)、LED顯示屏、傳感器等。

門(mén)極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開(kāi)關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門(mén)極電壓差時(shí)的 IGBT門(mén)極總電荷RG extern : IGBT 外部的門(mén)極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門(mén)極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門(mén)極電荷參數(shù)沒(méi)有給出，門(mén)極電壓在上升過(guò)程中的充電過(guò)程也沒(méi)有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -驅(qū)動(dòng)電路是用于控制和驅(qū)動(dòng)其他電路或設(shè)備的電路。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)

IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)

(3)沖擊電流問(wèn)題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇斎霝V波電容將承受大的沖擊電流，同時(shí)還可能使得可控硅意外截止，導(dǎo)致可控硅不斷重啟，所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來(lái)減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí)，由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小，導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠，電路停止工作，使LED產(chǎn)生閃爍。可控電源線(xiàn)性調(diào)光存在的問(wèn)題，即人眼在低亮度情況下對(duì)光線(xiàn)的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r，由于人眼視覺(jué)的飽和，光線(xiàn)較大的變化卻不易被察覺(jué)。并提出了利用單片機(jī)編程來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線(xiàn)性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法，使得人眼感覺(jué)的調(diào)光是一個(gè)線(xiàn)性平穩(wěn)過(guò)程。虹口區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)

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