MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器，可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關損耗。針對兩個與電源無關的輸入進行配置。高壓側輸入邏輯信號在內部被電平移位至自舉電源，此電源可以在高出地電位達 114V 的電壓條件下運行。●分布式電源架構●汽車電源●高密度●電信系統●欠壓閉鎖功能●自適應貫通保護功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝打印機驅動程序使計算機能夠識別和使用打印機。崇明區推廣驅動電路設計

在需要使用比較多的led產品時，如果將所有的LED串聯，將需要LED驅動器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯，則需要LED驅動器輸出較大的電流。將所有的LED串聯或并聯，不但限制著LED的嚴使用量，而且并聯LED負載電流較大，驅動器的成本也會增加，解決辦法是采用混聯方式。串、并聯的LED數量平均分配，這樣，分配在一個LED串聯支路上的電壓相同，同一個串聯支路中每個LED上的電流也基本相同，亮度一致，同時通過每個串聯支路的電流也相近。 [1]普陀區通用驅動電路哪家好BJT驅動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅動負載，適合低頻應用。

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。

由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]它們通常用于控制電機、繼電器、LED、顯示器等負載。

非隔離驅動電路：不具有電氣隔離結構，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。按常見形式分類：直接驅動：由單個電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅動電路，多用于功能簡單的小功率驅動場合。隔離驅動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅動、變壓器驅動以及隔離電容驅動等。**驅動集成芯片：在數字電源中應用***，許多驅動芯片自帶保護和隔離功能。功率開關管常用驅動MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進行驅動。負載特性：了解負載的電流、電壓和功率要求。崇明區推廣驅動電路設計

隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。崇明區推廣驅動電路設計

文中設計的電路利用RC充放電電路來實現這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調制PWM芯片結合外圍電路來搭建可控硅調光的LED驅動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當輸入電流較小時，維持電流補償電路上流過較大的電流;當輸入電流較大時，維持電流補償電路關斷，維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調光器，其**小導通角約為30°。崇明區推廣驅動電路設計

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